电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N5822US

产品描述3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小40KB,共2页
制造商CDI-DIODE
官网地址http://www.cdi-diodes.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

1N5822US在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
1N5822US - - 点击查看 点击购买

1N5822US概述

3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

1N5822US规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述HERMETIC SEALED, D5B, 2 PIN
状态TRANSFERRED
包装形状
包装尺寸LONG FORM
表面贴装Yes
端子形式WRAP AROUND
端子涂层锡 铅
端子位置END
包装材料玻璃
工艺SCHOTTKY
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型整流二极管
应用GENERAL PURPOSE
相数1
最大重复峰值反向电压40 V
最大平均正向电流3 A

文档预览

下载PDF文档
• 1N5822US AVAILABLE IN
JAN, JANTX, JANTXV AND JANS
PER MIL-PRF-19500/620
• 3 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
• HERMETICALLY SEALED
• LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT
• METALLURGICALLY BONDED, DOUBLE PLUG CONSTRUCTION
1N5820US
thru
1N5822US
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +125°C
Storage Temperature: -65°C to +150°C
Average Rectified Forward Current: 3.0 AMP, TEC = +55°C
Derating: 43 mA / °C above TEC = +55°C
DIM
D
F
G
S
MILLIMETERS
MIN
MAX
3.48
3.76
0.48
0.71
5.08
5.72
0.03MIN.
INCHES
MIN MAX
.137 .148
0.019 0.028
.200 .225
.001MIN.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25°C, unless otherwise specified.
FIGURE 1
CDI
TYPE
NUMBER
WORKING PEAK
REVERSE
VOLTAGE
V
RWM
VOLTS
V
MAXIMUM FORWARD VOLTAGE
V
V
F @ 9.4A
VOLTS
0.70
0.70
0.70
0.70
MAXIMUM REVERSE
LEAKAGE CURRENT
AT RATED VOLTAGE
I
R @ 25°C
mA
0.10
0.10
0.10
0.10
I
R @ 100°C
mA
12.5
12.5
12.5
12.5
DESIGN DATA
CASE:
D-5B, Hermetically sealed glass
case, PER MIL-PRF 19500/620
LEAD FINISH:
Tin / Lead
THERMAL RESISTANCE: (R
OJEC):
10 ˚C/W maximum at L = 0 inch
THERMAL IMPEDANCE: (Z
OJX): 3
˚C/W maximum
POLARITY:
Cathode end is banded.
MOUNTING SURFACE SELECTION:
The Axial Coefficient of Expansion
(COE) of this device is approximately
+ 4PPM / °C. The COE of the Mounting
Surface System should be selected to
provide a suitable match with this
device.
F @ 1.0A
VOLTS
0.40
0.40
0.40
0.40
F @ 3.0A
VOLTS
0.50
0.50
0.50
0.50
1N5820US
1N5821US
1N5822US
J,JX, JV & JS
5822US
20
30
40
40
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176
PHONE (781) 665-1071
FAX (781) 665-7379
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com
E-mail: mail@cdi-diodes.com

1N5822US相似产品对比

1N5822US 1N5820US 1N5821US JS5822US JV5822US JX5822US J5822US
描述 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 3 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
Pink noise 10mins
Pink noise 10mins ...
bobyao 下载中心专版
dsp bootloarder c5000
初学DSP时最头疼的事就是DSP的bootload问题,以前学51时只要把程序写好编译通过后就可以用烧写器直接将*.hex文件烧进单片机运行。 但DSP内部不带FLASH RAM,它必须在复位期间将外部的 ......
fish001 DSP 与 ARM 处理器
tinym0硬件仿真显示警告
手头有一块周立公的tinym0开发板, 硬件仿真显示警告:没有发现目标板的器件 请检查目标板是否上电,仿真电缆正确连接 目标器件是否加密。 怎么回事啊?我昨天还硬件仿真例程来着...
maleisj NXP MCU
急急急急急急急急
有那个高手知道泰科T92S7D12-48这个继电器那有现货啊18858658644...
欧亿电器 PCB设计
MSP-EXP430FR5739实验板套件团购申请
MSP430超低功耗的单片机做一个精密设备运输监控模块,对运输环境的温湿度、震动和倾斜度进行监测和记录。...
xscc 微控制器 MCU
USB转串口芯片PL-2303驱动程序
USB转串口芯片PL-2303驱动程序...
feifei PCB设计

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1524  1434  1256  2246  1180  31  29  26  46  24 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved