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BC640T/R

产品描述TRANSISTOR 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
产品类别晶体管   
文件大小128KB,共15页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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BC640T/R概述

TRANSISTOR 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

BC640T/R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)63
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级NOT APPLICABLE
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.8 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)145 MHz
VCEsat-Max0.5 V
Base Number Matches1

BC640T/R相似产品对比

BC640T/R BCP53T/R 403DMQ600 BCX53-16T/R BCX53T/R BCP53-16T/R BCP53-10T/R
描述 TRANSISTOR 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability TRANSISTOR 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-243AA, PLASTIC, TO-243, SC-62, 3 PIN, BIP General Purpose Power TRANSISTOR 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-243, PLASTIC, MPT3, SMD, SC-62, UPAK-3, BIP General Purpose Power TRANSISTOR 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SC-73, 4 PIN, BIP General Purpose Power 1A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SC-73, 4 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 - 符合 符合 符合 符合
厂商名称 NXP(恩智浦) - - NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
零件包装代码 TO-92 - - SOT-89 SOT-89 SC-73 SC-73
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 - - SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 PLASTIC, MPT3, SMD, SC-62, UPAK-3 PLASTIC, SC-73, 4 PIN SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数 3 - - 3 3 4 4
Reach Compliance Code compliant unknown - unknown unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A - 1 A 1 A 1 A 1 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V - 80 V 80 V 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 63 25 - 100 40 100 63
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 R-PDSO-G4 - R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
元件数量 1 1 - 1 1 1 1
端子数量 3 4 - 3 3 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CYLINDRICAL SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP - PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.8 W - - 1 W 2 W - 1.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES - YES YES YES YES
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING - FLAT FLAT GULL WING GULL WING
端子位置 BOTTOM DUAL - SINGLE SINGLE DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING AMPLIFIER - SWITCHING AMPLIFIER SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON - SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 145 MHz 115 MHz - 145 MHz 50 MHz 145 MHz 145 MHz
外壳连接 - COLLECTOR - COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR

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