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ASI10609

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon,
产品类别晶体管   
文件大小23KB,共2页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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ASI10609概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon,

ASI10609规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
配置SINGLE
JESD-30 代码O-CRFM-F4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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HF220-28
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI HF220-28
is Designed for
PACKAGE STYLE .500 4L FLG
.112x45°
A
FULL R
L
FEATURES:
P
G
= 12 dB min. at 220 W/30 MHz
IMD
3
= -30 dBc max. at 220 W
(PEP)
Omnigold™
Metalization System
C
B
E
C
Ø.125 NOM.
B
E
H
D
G
F
E
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CBO
V
CEO
V
EBO
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
O
I J
K
16 A
70 V
35 V
4.0 V
320 W @ T
C
= 25 C
-65 C to +200 C
-65
O
C to +150
O
C
0.7
O
C/W
O
O
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
MINIMUM
inches / mm
MAXIMUM
inches / mm
.220 / 5.59
.125 / 3.18
.245 / 6.22
.720 / 18.28
.125 / 3.18
.970 / 24.64
.495 / 12.57
.003 / 0.08
.090 / 2.29
.150 / 3.81
.980 / 24.89
.230 / 5.84
.255 / 6.48
.7.30 / 18.54
.980 / 24.89
.505 / 12.83
.007 / 0.18
.110 / 2.79
.175 / 4.45
.280 / 7.11
1.050 / 26.67
ORDER CODE: ASI10609
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CEO
BV
CES
BV
EBO
I
CEO
I
CES
h
FE
C
OB
G
P
IMD
3
η
C
Load
Mismatch
I
C
= 200 mA
I
C
= 100 mA
I
E
= 20 mA
V
CE
= 30 V
V
CE
= 35 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 28 V
T
C
= 25
O
C
NONETEST
CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
35
70
4.0
5.0
5.0
UNITS
V
V
V
mA
mA
---
pF
dB
dBc
%
VSWR
I
C
= 7.0 A
f = 1.0 MHz
15
---
12
450
---
40
50
---
-30
V
CE
= 28 V
I
CQ
= 750 mA
P
OUT
= 220 W
V
CE
= 28 V
I
CQ
= 750 mA
P
OUT
= 220 W
---
:1
---
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
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