EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDSO16, SOIC-16
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Catalyst |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOP, SOP8,.25 |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 其他特性 | 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES; 100 YEAR DATA RETENTION; CONFIGURABLE AS 256 X 16 |
| 备用内存宽度 | 8 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 4.9152 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 100 |
| 耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 10.3 mm |
| 内存密度 | 4096 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 16 |
| 字数 | 512 words |
| 字数代码 | 512 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 512X8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.65 mm |
| 串行总线类型 | 3-WIRE |
| 最大待机电流 | 0.00025 A |
| 最大压摆率 | 0.003 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.5 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 12 ms |
| 写保护 | SOFTWARE |
| Base Number Matches | 1 |
| CAT35C804AJI-TE13 | CAT35C804AJI | |
|---|---|---|
| 描述 | EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDSO16, SOIC-16 | EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, SOIC-16 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Catalyst | Catalyst |
| 零件包装代码 | SOIC | SOIC |
| 包装说明 | SOP, SOP8,.25 | SOP, SOP16,.4 |
| 针数 | 16 | 16 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| Is Samacsys | N | N |
| 其他特性 | 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES; 100 YEAR DATA RETENTION; CONFIGURABLE AS 256 X 16 | SECURE ACCESS |
| 备用内存宽度 | 8 | 16 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 4.9152 MHz | 4.9152 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 100 | 100 |
| 耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G16 | R-PDSO-G16 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 长度 | 10.3 mm | 10.3 mm |
| 内存密度 | 4096 bit | 4096 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 16 | 16 |
| 字数 | 512 words | 512 words |
| 字数代码 | 512 | 512 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 512X8 | 512X8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 | SOP16,.4 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | SERIAL | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.65 mm | 2.65 mm |
| 串行总线类型 | 3-WIRE | 3-WIRE |
| 最大待机电流 | 0.00025 A | 0.00025 A |
| 最大压摆率 | 0.003 mA | 0.003 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.5 mm | 7.5 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 12 ms | 12 ms |
| 写保护 | SOFTWARE | SOFTWARE |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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