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LH2111D/883B

产品描述

LH2111D/883B放大器基础信息:

LH2111D/883B是一款COMPARATOR。常用的包装方式为HERMETIC SEALED, DIP-16

LH2111D/883B放大器核心信息:

LH2111D/883B的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。他的最大平均偏置电流为0.15 µA

提及放大器的敏感性,最适合的莫过于标称响应时间。LH2111D/883B仅需200 ns即可完成响应。厂商给出的LH2111D/883B的最大压摆率为12 mA.

LH2111D/883B的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。而其供电电源的范围为:+-15 V。LH2111D/883B的输入失调电压为4000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)LH2111D/883B的宽度为:7.62 mm。

LH2111D/883B的相关尺寸:

LH2111D/883B拥有16个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:16

LH2111D/883B放大器其他信息:

其温度等级为:MILITARY。LH2111D/883B不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:R-CDIP-T16。其对应的的JESD-609代码为:e0。LH2111D/883B的封装代码是:DIP。

LH2111D/883B封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。而其封装形状为RECTANGULAR。LH2111D/883B封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为4.572 mm。

产品类别放大器电路    比较器   
文件大小154KB,共3页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
器件替换:LH2111D/883B替换放大器
敬请期待 详细参数 选型对比

LH2111D/883B概述

LH2111D/883B放大器基础信息:

LH2111D/883B是一款COMPARATOR。常用的包装方式为HERMETIC SEALED, DIP-16

LH2111D/883B放大器核心信息:

LH2111D/883B的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。他的最大平均偏置电流为0.15 µA

提及放大器的敏感性,最适合的莫过于标称响应时间。LH2111D/883B仅需200 ns即可完成响应。厂商给出的LH2111D/883B的最大压摆率为12 mA.

LH2111D/883B的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。而其供电电源的范围为:+-15 V。LH2111D/883B的输入失调电压为4000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)LH2111D/883B的宽度为:7.62 mm。

LH2111D/883B的相关尺寸:

LH2111D/883B拥有16个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:16

LH2111D/883B放大器其他信息:

其温度等级为:MILITARY。LH2111D/883B不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:R-CDIP-T16。其对应的的JESD-609代码为:e0。LH2111D/883B的封装代码是:DIP。

LH2111D/883B封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。而其封装形状为RECTANGULAR。LH2111D/883B封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为4.572 mm。

LH2111D/883B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称National Semiconductor(TI )
零件包装代码DIP
包装说明HERMETIC SEALED, DIP-16
针数16
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
放大器类型COMPARATOR
最大平均偏置电流 (IIB)0.15 µA
最大输入失调电压4000 µV
JESD-30 代码R-CDIP-T16
JESD-609代码e0
标称负供电电压 (Vsup)-15 V
功能数量2
端子数量16
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
输出类型OPEN-COLLECTOR
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源+-15 V
认证状态Not Qualified
标称响应时间200 ns
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度4.572 mm
最大压摆率12 mA
标称供电电压 (Vsup)15 V
表面贴装NO
技术BIPOLAR
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

LH2111D/883B相似产品对比

LH2111D/883B LH2111F-MIL LH2111D-MIL
描述 IC DUAL COMPARATOR, 4000 uV OFFSET-MAX, 200 ns RESPONSE TIME, CDIP16, HERMETIC SEALED, DIP-16, Comparator IC,VOLT COMPARATOR,DUAL,BIPOLAR,FP,16PIN,CERAMIC IC,VOLT COMPARATOR,DUAL,BIPOLAR,DIP,16PIN,CERAMIC
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI )
Reach Compliance Code unknown compliant unknown
放大器类型 COMPARATOR COMPARATOR COMPARATOR
JESD-30 代码 R-CDIP-T16 R-XDFP-F16 R-XDIP-T16
JESD-609代码 e0 e0 e0
标称负供电电压 (Vsup) -15 V -15 V -15 V
端子数量 16 16 16
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP DFP DIP
封装等效代码 DIP16,.3 FL16,.3 DIP16,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE FLATPACK IN-LINE
电源 +-15 V +-15 V +-15 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 38535Q/M;38534H;883B MIL-STD-883 Class B (Modified) MIL-STD-883 Class B (Modified)
标称供电电压 (Vsup) 15 V 15 V 15 V
表面贴装 NO YES NO
技术 BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE FLAT THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
Is Samacsys N N -
Base Number Matches 1 1 -

 
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