DMNH6011LK3Q-13,DMNH6011LK3Q-13 pdf中文资料,DMNH6011LK3Q-13引脚图,DMNH6011LK3Q-13电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> 晶体管> MOSFET> DMNH6011LK3Q-13

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DMNH6011LK3Q-13: 产品描述MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R 2.5K; 产品类别半导体分立半导体晶体管 MOSFET; 文件大小510KB，共8页; 制造商Diodes Incorporated

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DMNH6011LK3Q-13概述

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R 2.5K

DMNH6011LK3Q-13规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Diodes Incorporated
产品种类	MOSFET
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TO-252-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	55 V
Id-连续漏极电流	80 A
Rds On-漏源导通电阻	12 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1 V
Vgs - 栅极-源极电压	12 V
Qg-栅极电荷	49.1 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	3 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
资格	AEC-Q101
封装	Reel
下降时间	10.2 ns
上升时间	8.7 ns
工厂包装数量	2500
典型关闭延迟时间	28.2 ns
典型接通延迟时间	5.9 ns
单位重量	330 mg

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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