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DS1250W-100+

产品描述NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM
产品类别存储    存储   
文件大小204KB,共10页
制造商Maxim(美信半导体)
官网地址https://www.maximintegrated.com/en.html
标准
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DS1250W-100+概述

NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM

DS1250W-100+规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Maxim(美信半导体)
零件包装代码MODULE
包装说明DIP, DIP32,.6
针数32
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
Factory Lead Time10 weeks
最长访问时间100 ns
JESD-30 代码R-XDMA-P32
JESD-609代码e3
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX8
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.00025 A
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式PIN/PEG
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

DS1250W-100+相似产品对比

DS1250W-100+ DS1250WP-100IND+ DS1250W-150+ DS1250W-100IND+ DS1250WP-100+
描述 NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Maxim(美信半导体) Maxim(美信半导体) Maxim(美信半导体) Maxim(美信半导体) Maxim(美信半导体)
零件包装代码 MODULE DMA MODULE MODULE DMA
包装说明 DIP, DIP32,.6 ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34 DIP, DIP32,.6 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-32 , MODULE,34LEAD,1.0
针数 32 34 32 32 34
Reach Compliance Code not_compliant unknown not_compliant unknown not_compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
Factory Lead Time 10 weeks 10 weeks 6 weeks 9 weeks 10 weeks
最长访问时间 100 ns 100 ns 150 ns 100 ns 100 ns
JESD-30 代码 R-XDMA-P32 R-XDMA-U34 R-XDMA-P32 R-XDMA-P32 R-XDMA-U34
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 32 34 32 32 34
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C
组织 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装等效代码 DIP32,.6 MODULE,34LEAD,1.0 DIP32,.6 DIP32,.6 MODULE,34LEAD,1.0
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.00025 A 0.00025 A 0.00025 A 0.00025 A 0.00025 A
最大压摆率 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO YES NO NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 PIN/PEG J INVERTED PIN/PEG PIN/PEG J INVERTED
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
封装代码 DIP - DIP DIP -
端子节距 2.54 mm - 2.54 mm 2.54 mm -
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