DS1245W-100IND+,DS1245W-100IND+ pdf中文资料,DS1245W-100IND+引脚图,DS1245W-100IND+电路-Datasheet-电子工程世界

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DS1245W-100IND+: 产品描述NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile; 产品类别存储存储; 文件大小209KB，共11页; 制造商Maxim(美信半导体); 官网地址https://www.maximintegrated.com/en.html; 标准

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DS1245W-100IND+概述

NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile

DS1245W-100IND+规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Maxim(美信半导体)
零件包装代码	MODULE
包装说明	0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-32
针数	32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
Factory Lead Time	10 weeks
最长访问时间	100 ns
其他特性	10 YEAR DATA RETENTION
JESD-30 代码	R-XDMA-P32
JESD-609代码	e3
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX8
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP32,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.00025 A
最大压摆率	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	MATTE TIN
端子形式	PIN/PEG
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

DS1245W-100IND+相似产品对比

	DS1245W-100IND+	DS1245WP-150+	DS1245WP-100IND+	DS1245W-100+	DS1245WP-100+	DS1245W-150+
描述	NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile	NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile	NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile	NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile	NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile	NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	Maxim(美信半导体)	Maxim(美信半导体)	Maxim(美信半导体)	Maxim(美信半导体)	Maxim(美信半导体)	Maxim(美信半导体)
零件包装代码	MODULE	DMA	DMA	MODULE	DMA	MODULE
包装说明	0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-32	, MODULE,34LEAD,1.0	ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34	DIP, DIP32,.6	, MODULE,34LEAD,1.0	DIP, DIP32,.6
针数	32	34	34	32	34	32
Reach Compliance Code	unknown	not_compliant	unknown	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
Factory Lead Time	10 weeks	8 weeks	8 weeks	10 weeks	6 weeks	6 weeks
最长访问时间	100 ns	150 ns	100 ns	100 ns	100 ns	150 ns
其他特性	10 YEAR DATA RETENTION	10 YEAR DATA RETENTION	10 YEAR DATA RETENTION	10 YEAR DATA RETENTION	10 YEAR DATA RETENTION	10 YEAR DATA RETENTION
JESD-30 代码	R-XDMA-P32	R-XDMA-U34	R-XDMA-U34	R-XDMA-P32	R-XDMA-U34	R-XDMA-P32
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	e3	e3
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	NON-VOLATILE SRAM MODULE	NON-VOLATILE SRAM MODULE	NON-VOLATILE SRAM MODULE	NON-VOLATILE SRAM MODULE	NON-VOLATILE SRAM MODULE	NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	34	34	32	34	32
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装等效代码	DIP32,.6	MODULE,34LEAD,1.0	MODULE,34LEAD,1.0	DIP32,.6	MODULE,34LEAD,1.0	DIP32,.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	245	245	NOT SPECIFIED	245	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.00025 A	0.00025 A	0.00025 A	0.00025 A	0.00025 A	0.00025 A
最大压摆率	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	YES	YES	NO	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN
端子形式	PIN/PEG	J INVERTED	J INVERTED	PIN/PEG	J INVERTED	PIN/PEG
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	40	40	NOT SPECIFIED	40	NOT SPECIFIED

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