NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Maxim(美信半导体) |
零件包装代码 | DMA |
包装说明 | ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34 |
针数 | 34 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
Factory Lead Time | 8 weeks |
最长访问时间 | 100 ns |
其他特性 | 10 YEAR DATA RETENTION |
JESD-30 代码 | R-XDMA-U34 |
JESD-609代码 | e3 |
内存密度 | 1048576 bit |
内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 34 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 128KX8 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装等效代码 | MODULE,34LEAD,1.0 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 245 |
电源 | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
最大待机电流 | 0.00025 A |
最大压摆率 | 0.05 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | J INVERTED |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
DS1245WP-100IND+ | DS1245WP-150+ | DS1245W-100IND+ | DS1245W-100+ | DS1245WP-100+ | DS1245W-150+ | |
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描述 | NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile | NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile | NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile | NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile | NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile | NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Maxim(美信半导体) | Maxim(美信半导体) | Maxim(美信半导体) | Maxim(美信半导体) | Maxim(美信半导体) | Maxim(美信半导体) |
零件包装代码 | DMA | DMA | MODULE | MODULE | DMA | MODULE |
包装说明 | ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34 | , MODULE,34LEAD,1.0 | 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-32 | DIP, DIP32,.6 | , MODULE,34LEAD,1.0 | DIP, DIP32,.6 |
针数 | 34 | 34 | 32 | 32 | 34 | 32 |
Reach Compliance Code | unknown | not_compliant | unknown | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
Factory Lead Time | 8 weeks | 8 weeks | 10 weeks | 10 weeks | 6 weeks | 6 weeks |
最长访问时间 | 100 ns | 150 ns | 100 ns | 100 ns | 100 ns | 150 ns |
其他特性 | 10 YEAR DATA RETENTION | 10 YEAR DATA RETENTION | 10 YEAR DATA RETENTION | 10 YEAR DATA RETENTION | 10 YEAR DATA RETENTION | 10 YEAR DATA RETENTION |
JESD-30 代码 | R-XDMA-U34 | R-XDMA-U34 | R-XDMA-P32 | R-XDMA-P32 | R-XDMA-U34 | R-XDMA-P32 |
JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 | e3 | e3 | e3 |
内存密度 | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit |
内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 34 | 34 | 32 | 32 | 34 | 32 |
字数 | 131072 words | 131072 words | 131072 words | 131072 words | 131072 words | 131072 words |
字数代码 | 128000 | 128000 | 128000 | 128000 | 128000 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 70 °C | 85 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装等效代码 | MODULE,34LEAD,1.0 | MODULE,34LEAD,1.0 | DIP32,.6 | DIP32,.6 | MODULE,34LEAD,1.0 | DIP32,.6 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 245 | 245 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | 245 | NOT SPECIFIED |
电源 | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大待机电流 | 0.00025 A | 0.00025 A | 0.00025 A | 0.00025 A | 0.00025 A | 0.00025 A |
最大压摆率 | 0.05 mA | 0.05 mA | 0.05 mA | 0.05 mA | 0.05 mA | 0.05 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | YES | YES | NO | NO | YES | NO |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | MATTE TIN | MATTE TIN | MATTE TIN | MATTE TIN | MATTE TIN | MATTE TIN |
端子形式 | J INVERTED | J INVERTED | PIN/PEG | PIN/PEG | J INVERTED | PIN/PEG |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | 40 | NOT SPECIFIED |
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