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DS1245WP-100IND+

产品描述NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile
产品类别存储    存储   
文件大小209KB,共11页
制造商Maxim(美信半导体)
官网地址https://www.maximintegrated.com/en.html
标准
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DS1245WP-100IND+概述

NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile

DS1245WP-100IND+规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Maxim(美信半导体)
零件包装代码DMA
包装说明ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34
针数34
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
Factory Lead Time8 weeks
最长访问时间100 ns
其他特性10 YEAR DATA RETENTION
JESD-30 代码R-XDMA-U34
JESD-609代码e3
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量34
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX8
封装主体材料UNSPECIFIED
封装等效代码MODULE,34LEAD,1.0
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)245
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.00025 A
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式J INVERTED
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40

DS1245WP-100IND+相似产品对比

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描述 NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Maxim(美信半导体) Maxim(美信半导体) Maxim(美信半导体) Maxim(美信半导体) Maxim(美信半导体) Maxim(美信半导体)
零件包装代码 DMA DMA MODULE MODULE DMA MODULE
包装说明 ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34 , MODULE,34LEAD,1.0 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-32 DIP, DIP32,.6 , MODULE,34LEAD,1.0 DIP, DIP32,.6
针数 34 34 32 32 34 32
Reach Compliance Code unknown not_compliant unknown not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
Factory Lead Time 8 weeks 8 weeks 10 weeks 10 weeks 6 weeks 6 weeks
最长访问时间 100 ns 150 ns 100 ns 100 ns 100 ns 150 ns
其他特性 10 YEAR DATA RETENTION 10 YEAR DATA RETENTION 10 YEAR DATA RETENTION 10 YEAR DATA RETENTION 10 YEAR DATA RETENTION 10 YEAR DATA RETENTION
JESD-30 代码 R-XDMA-U34 R-XDMA-U34 R-XDMA-P32 R-XDMA-P32 R-XDMA-U34 R-XDMA-P32
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 34 34 32 32 34 32
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装等效代码 MODULE,34LEAD,1.0 MODULE,34LEAD,1.0 DIP32,.6 DIP32,.6 MODULE,34LEAD,1.0 DIP32,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 245 245 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 245 NOT SPECIFIED
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.00025 A 0.00025 A 0.00025 A 0.00025 A 0.00025 A 0.00025 A
最大压摆率 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES NO NO YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 J INVERTED J INVERTED PIN/PEG PIN/PEG J INVERTED PIN/PEG
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 40 NOT SPECIFIED
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