Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> 晶体管> 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)> Jan2N6990/TR

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Jan2N6990/TR: 产品描述双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT); 产品类别半导体分立半导体晶体管双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT); 文件大小60KB，共3页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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Jan2N6990/TR概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

Jan2N6990/TR规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Microsemi
产品种类	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS	N
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TO-86-14
晶体管极性	NPN
配置	Quad
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极—基极电压 VCBO	75 V
发射极 - 基极电压 VEBO	6 V
集电极—射极饱和电压	1 V
最大直流电集电极电流	800 mA
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值	325 at 1 mA, 10 V
直流集电极/Base Gain hfe Min	50 at 1 mA, 10 V
Pd-功率耗散	1 W
工厂包装数量	1

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TECHNICAL DATA

MULTIPLE (QUAD) NPN SILICON DUAL IN-LINE AND FLATPACK

SWITCHING TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/559

Devices

2N6989

2N6989U

2N6990

Qualified Level

JAN

JANTX

JANTXV

JANS

MAXIMUM RATINGS

(1)

Ratings

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

(3)

Emitter-Base Voltage

(3)

Collector Current

(3)

Total Power Dissipation

(3)

Symbol

CEO

CBO

EBO

Value

6.0

800

1.5

1.0

0.4

-65 to +200

Units

Vdc

mAdc

20 PIN LEADLESS*

TO- 116*

2N6989

stg

1) Maximum voltage between transistors shall be

≥

500 Vdc

2) Derate linearly 8.57 mW/

C above T

= +25

C for 2N6989 and 2N6989U

Derate linearly 2.286 mW/

C above T

= +25

C for 2N6990

Ratings apply to total package.

3) Ratings apply to each transistor in the array.

@ T

= +25

2N6989

(2)

2N6989U

(2)

2N6990

(2)

Operating & Storage Junction Temperature Range

2N6989U

14 PIN FLAT PACK*

2N6990

*See appendix A for package

outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

= 25

C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

(BR)

CEO

CBO

Min.

Max.

Unit

Vdc

ηAdc

µAdc

ηAdc

µAdc

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

= 10 mAdc

Collector-Base Cutoff Current

= 60 Vdc

= 75 Vdc; I

= 10

µAdc

Emitter-Base Cutoff Current

= 4.0Vdc

= 6.0Vdc; I

= 10

µAdc

EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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Jan2N6990/TR相似产品对比

	Jan2N6990/TR	2N6990/TR	Jantx2N6989/TR	Jantxv2N6989/TR	2N6989U/TR	Jan2N6989/TR
描述	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	Small Signal Bipolar Transistor,	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
厂商名称	Microsemi	Microsemi	Microsemi	Microsemi	-	Microsemi
产品种类	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	-	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS	N	N	N	N	-	N
技术	Si	Si	Si	Si	-	Si
安装风格	SMD/SMT	SMD/SMT	Through Hole	Through Hole	-	Through Hole
封装 / 箱体	TO-86-14	TO-86-14	TO-116-14	TO-116-14	-	TO-116-14
晶体管极性	NPN	NPN	NPN	NPN	-	NPN
配置	Quad	Quad	Quad	Quad	-	Quad
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V	50 V	50 V	50 V	-	50 V
集电极—基极电压 VCBO	75 V	75 V	75 V	75 V	-	75 V
发射极 - 基极电压 VEBO	6 V	6 V	6 V	6 V	-	6 V
集电极—射极饱和电压	1 V	1 V	0.3 V	0.3 V	-	0.3 V
最大直流电集电极电流	800 mA	800 mA	800 mA	800 mA	-	800 mA
最小工作温度	- 65 C	- 65 C	- 65 C	- 65 C	-	- 65 C
最大工作温度	+ 200 C	+ 200 C	+ 200 C	+ 200 C	-	+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值	325 at 1 mA, 10 V	325 at 1 mA, 10 V	325 at 1 mA, 10 V	325 at 1 mA, 10 V	-	325 at 1 mA, 10 V
直流集电极/Base Gain hfe Min	50 at 1 mA, 10 V	50 at 1 mA, 10 V	30 at 500 mA, 10 V	30 at 500 mA, 10 V	-	30 at 500 mA, 10 V
Pd-功率耗散	1 W	1 W	1.5 W	1.5 W	-	1.5 W
工厂包装数量	1	100	1	1	-	1

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