Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> 晶体管> 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)> Jantxv2N6989/TR

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Jantxv2N6989/TR: 产品描述双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT); 产品类别半导体分立半导体晶体管双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT); 文件大小60KB，共3页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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Jantxv2N6989/TR概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

Jantxv2N6989/TR规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Microsemi
产品种类	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS	N
技术	Si
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-116-14
晶体管极性	NPN
配置	Quad
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极—基极电压 VCBO	75 V
发射极 - 基极电压 VEBO	6 V
集电极—射极饱和电压	0.3 V
最大直流电集电极电流	800 mA
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值	325 at 1 mA, 10 V
直流集电极/Base Gain hfe Min	30 at 500 mA, 10 V
Pd-功率耗散	1.5 W
工厂包装数量	1

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TECHNICAL DATA

MULTIPLE (QUAD) NPN SILICON DUAL IN-LINE AND FLATPACK

SWITCHING TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/559

Devices

2N6989

2N6989U

2N6990

Qualified Level

JAN

JANTX

JANTXV

JANS

MAXIMUM RATINGS

(1)

Ratings

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

(3)

Emitter-Base Voltage

(3)

Collector Current

(3)

Total Power Dissipation

(3)

Symbol

CEO

CBO

EBO

Value

6.0

800

1.5

1.0

0.4

-65 to +200

Units

Vdc

mAdc

20 PIN LEADLESS*

TO- 116*

2N6989

stg

1) Maximum voltage between transistors shall be

≥

500 Vdc

2) Derate linearly 8.57 mW/

C above T

= +25

C for 2N6989 and 2N6989U

Derate linearly 2.286 mW/

C above T

= +25

C for 2N6990

Ratings apply to total package.

3) Ratings apply to each transistor in the array.

@ T

= +25

2N6989

(2)

2N6989U

(2)

2N6990

(2)

Operating & Storage Junction Temperature Range

2N6989U

14 PIN FLAT PACK*

2N6990

*See appendix A for package

outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

= 25

C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

(BR)

CEO

CBO

Min.

Max.

Unit

Vdc

ηAdc

µAdc

ηAdc

µAdc

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

= 10 mAdc

Collector-Base Cutoff Current

= 60 Vdc

= 75 Vdc; I

= 10

µAdc

Emitter-Base Cutoff Current

= 4.0Vdc

= 6.0Vdc; I

= 10

µAdc

EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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Jantxv2N6989/TR相似产品对比

	Jantxv2N6989/TR	2N6990/TR	Jantx2N6989/TR	2N6989U/TR	Jan2N6990/TR	Jan2N6989/TR
描述	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	Small Signal Bipolar Transistor,	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
厂商名称	Microsemi	Microsemi	Microsemi	-	Microsemi	Microsemi
产品种类	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	-	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS	N	N	N	-	N	N
技术	Si	Si	Si	-	Si	Si
安装风格	Through Hole	SMD/SMT	Through Hole	-	SMD/SMT	Through Hole
封装 / 箱体	TO-116-14	TO-86-14	TO-116-14	-	TO-86-14	TO-116-14
晶体管极性	NPN	NPN	NPN	-	NPN	NPN
配置	Quad	Quad	Quad	-	Quad	Quad
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V	50 V	50 V	-	50 V	50 V
集电极—基极电压 VCBO	75 V	75 V	75 V	-	75 V	75 V
发射极 - 基极电压 VEBO	6 V	6 V	6 V	-	6 V	6 V
集电极—射极饱和电压	0.3 V	1 V	0.3 V	-	1 V	0.3 V
最大直流电集电极电流	800 mA	800 mA	800 mA	-	800 mA	800 mA
最小工作温度	- 65 C	- 65 C	- 65 C	-	- 65 C	- 65 C
最大工作温度	+ 200 C	+ 200 C	+ 200 C	-	+ 200 C	+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值	325 at 1 mA, 10 V	325 at 1 mA, 10 V	325 at 1 mA, 10 V	-	325 at 1 mA, 10 V	325 at 1 mA, 10 V
直流集电极/Base Gain hfe Min	30 at 500 mA, 10 V	50 at 1 mA, 10 V	30 at 500 mA, 10 V	-	50 at 1 mA, 10 V	30 at 500 mA, 10 V
Pd-功率耗散	1.5 W	1 W	1.5 W	-	1 W	1.5 W
工厂包装数量	1	100	1	-	1	1

推荐资源

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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