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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> 1N5405
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1N5405

产品描述3 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小157KB，共2页
制造商上海商朗电子
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1N5405概述

3 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

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CE
CHENYI ELECTRONICS
1N5400 THRU 1N5408
GENERAL PURPOSE PLASTIC RECTIFIER
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts
Forward Current - 3.0Amperes
FEATURES
. The plastic package has Underwrites Laboratory
Flammability Classification 94V-0
. Construction utilizes void-free molded plastic technique
. High surge current capability
. 3.0A operation at
T
L
=75
. Typical
T
R
less than 0.1
with no thermal runaway
A
/10 seconds,
. High temperature soldering guaranteed: 250
0.375"(9.5mm)lead length,5lbs.(2.3kg)tension
MECHANICAL DATA
.
Case:
JEDEC DO-15 molded plastic body
.
Terminals:
lead solderable per MIL-STD-750,method 2026
.
Polarity:
Color band denotes cathode end
.
Mounting Position:
Any
.
Weight:
0.042 ounce, 1.19 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified,Single phase,half wave 60Hz,resistive or inductive)
load. For capacitive load,derate by 20%)
Symbols
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Macimum average forward rectified
current 0.375"(9.5mm)lead length at
T
A
=70
Peak forward surge current 8.3ms
sing-wave superimposed on rated load
(JEDEC method)
T
A
=70
Maximum instantaneous forward voltage at 1.5 A
Maximum reverse
current at rated DC blocking voltage
Typeical thermal resistance(Note 2)
TA=25
TA=100
V
F
I
R
I
FSM
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
1N
5400
50
35
50
1N
5401
100
70
100
1N
5402
200
140
200
1N
5403
300
210
300
1N
5404
400
280
400
3.0
1N
5405
500
350
500
1N
5406
600
420
600
1N
5407
800
560
800
1N
5408
1000
700
1000
Units
Volts
Volts
Volts
Amps
200.0
Amps
1.1
10.0
Volts
A
300.0
R
C
J
T
A
T
J
T
STG
JA
20.0
/W
pF
Typical junction Capacitance(Note 1)
Maximum DC Blocking Voltage temperature
Operating and storage temperature range
35.0
+150.0
-50 to +175
Notes:
1. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC
2.Thermal resistance from juntion to ambient and from junction lead at 0.375"(9.5mm)lead length,
P.C.B. Mounted
Copyright @ 2000 SHANGHAI CHENYI ELECTRONICS CO.,LTD
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描述 3 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD RECTIFIER DIODE,1KV V(RRM),DO-204AE
端子数量 - 2 2 2 - 2 2 - -
元件数量 - 1 1 1 - 1 1 - -
加工封装描述 - 塑料 PACKAGE-2 塑料 PACKAGE-2 塑料 PACKAGE-2 - 绿色, 塑料 PACKAGE-2 铅 FREE, 塑料, CASE 267-05, 2 PIN - -
状态 - ACTIVE ACTIVE DISCONTINUED - ACTIVE DISCONTINUED - CONSULT MFR
包装形状 - 圆 圆 圆 - 圆 圆 - -
包装尺寸 - LONG FORM LONG FORM LONG FORM - LONG FORM LONG FORM - -
端子形式 - 线 线 线 - 线 线 - -
端子涂层 - MATTE 锡 锡 锡 铅 - PURE 锡 MATTE 锡 - -
端子位置 - AXIAL AXIAL AXIAL - AXIAL AXIAL - -
包装材料 - 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 - 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 - -
结构 - 单一的 单一的 单一的 - 单一的 单一的 - -
壳体连接 - 隔离 隔离 隔离 - 隔离 隔离 - -
二极管元件材料 - 硅 硅 硅 - 硅 硅 - -
二极管类型 - 整流二极管 整流二极管 整流二极管 - 整流二极管 整流二极管 - 整流二极管
应用 - GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE - EFFICIENCY GENERAL PURPOSE - -
相数 - 1 1 1 - 1 1 - -
最大重复峰值反向电压 - 50 V 100 V 200 V - 400 V 600 V - -
最大平均正向电流 - 3 A 3 A 3 A - 3 A 3 A - -
最大非重复峰值正向电流 - 200 A 200 A 200 A - 200 A 200 A - -

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