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MCP6N16-010E/MS

产品描述

MCP6N16-010E/MS放大器基础信息:

MCP6N16-010E/MS是来自Microchip的一款仪表放大器(Instrumentation Amplifiers)。

MCP6N16-010E/MS放大器核心信息:

MCP6N16-010E/MS的最低工作温度是- 40 C,最高工作温度是+ 125 C。对应的工作电源电流为1.1 mA每个通道的输出电流为:30 mA

MCP6N16-010E/MS的电源抑制比为98 dB。(电源抑制比(PSRR):用于判断放大器输出攻略受电源影响大小的指标。PSRR = 20log[(Ripple(in) / Ripple(out))],既数值越大,放大器输出受电源输入影响就越小。)MCP6N16-010E/MS的放大器增益可达到:10 V/V(放大器增益是放大器输出功率与输入功率比值的对数,用以表示功率放大的程度。亦指电压或电流的放大倍数。同样,分贝就是放大器增益的单位。)MCP6N16-010E/MS的增益带宽积(GBP,增益带宽产品)为5 MHz,作为简单衡量放大器的性能的一个参数,如果你在不止如何选择你的放大器时,可以将这个做一个比较简单的衡量指标。其对应的输入电压噪声密度为45 nV/sqrt Hz

而其供电电源的范围为:5.5 V。当在MCP6N16-010E/MS输入引脚间输入22 uV的电压差时,该放大器的输出电压为0V。(既它的输入偏置电压为22 uV)

MCP6N16-010E/MS的相关尺寸:

共有通道数量(Number of chanels):1 Channel个。

MCP6N16-010E/MS放大器其他信息:

而其更为详尽的单个封装形式是:MSOP-8。市面上供应商销售MCP6N16-010E/MS时,采用的形式是:Tube。

产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小8MB,共59页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
标准
器件替换:MCP6N16-010E/MS替换放大器
下载数据手册 下载用户手册 详细参数 选型对比 全文预览

MCP6N16-010E/MS概述

MCP6N16-010E/MS放大器基础信息:

MCP6N16-010E/MS是来自Microchip的一款仪表放大器(Instrumentation Amplifiers)。

MCP6N16-010E/MS放大器核心信息:

MCP6N16-010E/MS的最低工作温度是- 40 C,最高工作温度是+ 125 C。对应的工作电源电流为1.1 mA每个通道的输出电流为:30 mA

MCP6N16-010E/MS的电源抑制比为98 dB。(电源抑制比(PSRR):用于判断放大器输出攻略受电源影响大小的指标。PSRR = 20log[(Ripple(in) / Ripple(out))],既数值越大,放大器输出受电源输入影响就越小。)MCP6N16-010E/MS的放大器增益可达到:10 V/V(放大器增益是放大器输出功率与输入功率比值的对数,用以表示功率放大的程度。亦指电压或电流的放大倍数。同样,分贝就是放大器增益的单位。)MCP6N16-010E/MS的增益带宽积(GBP,增益带宽产品)为5 MHz,作为简单衡量放大器的性能的一个参数,如果你在不止如何选择你的放大器时,可以将这个做一个比较简单的衡量指标。其对应的输入电压噪声密度为45 nV/sqrt Hz

而其供电电源的范围为:5.5 V。当在MCP6N16-010E/MS输入引脚间输入22 uV的电压差时,该放大器的输出电压为0V。(既它的输入偏置电压为22 uV)

MCP6N16-010E/MS的相关尺寸:

共有通道数量(Number of chanels):1 Channel个。

MCP6N16-010E/MS放大器其他信息:

而其更为详尽的单个封装形式是:MSOP-8。市面上供应商销售MCP6N16-010E/MS时,采用的形式是:Tube。

MCP6N16-010E/MS规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Microchip(微芯科技)
包装说明TSSOP, TSSOP8,.19
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time8 weeks
放大器类型INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)0.0001 µA
最小共模抑制比103 dB
最大输入失调电流 (IIO)0.0008 µA
最大输入失调电压22 µV
JESD-30 代码S-PDSO-G8
JESD-609代码e3
长度3 mm
湿度敏感等级1
最大非线性0.25%
功能数量1
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP8,.19
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法TUBE
峰值回流温度(摄氏度)260
座面最大高度1.1 mm
最大压摆率1.6 mA
供电电压上限6.5 V
标称供电电压 (Vsup)2.9 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
最小电压增益10
标称电压增益118
宽度3 mm

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MCP6N16
Zero-Drift Instrumentation Amplifier
Features:
• High DC Precision:
- V
OS
: ±17 µV (maximum, G
MIN
= 100)
- TC
1
: ±60 nV/°C (maximum, G
MIN
= 100)
- CMRR: 112 dB (minimum, G
MIN
= 100,
V
DD
= 5.5V)
- PSRR: 110 dB (minimum, G
MIN
= 100,
V
DD
= 5.5V)
- g
E
: ±0.15% (maximum, G
MIN
= 10, 100)
• Flexible:
- Minimum Gain (G
MIN
) Options:
1, 10 and 100 V/V
- Rail-to-Rail Input and Output
- Gain Set by Two External Resistors
• Bandwidth: 500 kHz (typical, Gain = G
MIN
= 1, 10)
• Power Supply:
- V
DD
: 1.8V to 5.5V
- I
Q
: 1.1 mA (typical)
- Power Savings (Enable) Pin: EN
• Enhanced EMI Protection:
- Electromagnetic Interference Rejection Ratio
(EMIRR): 111 dB at 2.4 GHz
• Extended Temperature Range: -40°C to +125°C
Description:
Microchip Technology Inc. offers the single Zero-Drift
MCP6N16 instrumentation amplifier (INA) with Enable
pin (EN) and three minimum gain options (G
MIN
). The
internal offset correction gives high DC precision: it has
very low offset and offset drift, and negligible 1/f noise.
Two external resistors set the gain, minimizing gain
error and drift over temperature. The reference voltage
(V
REF
) shifts the output voltage (V
OUT
).
The MCP6N16 is designed for single-supply operation,
with rail-to-rail input (no common mode crossover
distortion) and output performance. The supply voltage
range (1.8V to 5.5V) is low enough to support many
portable applications. All devices are fully specified
from -40°C to +125°C. Each part has EMI filters at the
input pins, for good EMI rejection (EMIRR).
These parts have three minimum gain options (1, 10
and 100 V/V). This allows the user to optimize the input
offset voltage and input noise for different applications.
Typical Application Circuit
V
DD
2.49 kΩ
10 µF
EN
4.99 kΩ
4.99 kΩ
RTD Temperature Sensor
Typical Applications:
High-Side Current Sensor
Wheatstone Bridge Sensors
Difference Amplifier with Level Shifting
Power Control Loops
MCP6N16-100
V
OUT
20 kΩ
100Ω
100Ω
68.1Ω
4.99 kΩ
RTD
100Ω
Design Aids:
• SPICE Macro Model
• Microchip Advanced Part Selector (MAPS)
• Application Notes
Package Types
MCP6N16
MSOP
EN 1
V
IM
2
V
IP
3
V
SS
4
8 V
DD
7 V
OUT
6 V
FG
5 V
REF
MCP6N16
3×3 DFN *
EN 1
V
IM
2
V
IP
3
V
SS
4
EP
9
8 V
DD
7 V
OUT
6 V
FG
5 V
REF
* Includes Exposed Thermal Pad (EP); see
Table 3-1.
2014 Microchip Technology Inc.
DS20005318A-page 1

MCP6N16-010E/MS相似产品对比

MCP6N16-010E/MS MCP6N16T-001E/MS
描述 仪表放大器 Single, Zero-Drift Instr Amp, E temp 仪表放大器 Single, Zero-Drift Instr Amp, E temp
厂商名称 Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技)
放大器类型 INSTRUMENTATION AMPLIFIER Instrumentation Amplifier

 
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