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1N5398

产品描述1.5 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AL
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小75KB,共3页
制造商MCC
官网地址http://www.mccsemi.com
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1N5398概述

1.5 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AL

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MCC
Features
Low Current Leakage
Low Forward Voltage
High Current Capability
Low Cost
  omponents
21201 Itasca Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
1N5391
THRU
1N5399
1.5 Amp Rectifier
50 - 1000 Volts
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55°C to +125°C
Storage Temperature: -55°C to +150°C
Typical Thermal Resistance; 26°C/W Junction To Lead
MCC
Catalog
Number
Device
Marking
Maximum
Recurrent
Peak
Reverse
Voltage
50V
100V
200V
300V
400V
500V
600V
800V
1000V
Maximum
RMS
Voltage
Maximum
DC
Blocking
Voltage
50V
100V
200V
300V
400V
500V
600V
800V
1000V
DO-15
D
1N5391
1N5392
1N5393
1N5394
1N5395
1N5396
1N5397
1N5398
1N5399
---
---
---
---
---
---
---
---
---
35V
70V
140V
210V
280V
350V
420V
560V
700V
A
Cathode
Mark
B
D
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
I
F(AV)
1.5A
T
A
= 70°C
Current
Peak Forward Surge
I
FSM
50A
8.3ms, half sine**
Current
Maximum
1.1V
I
FM
= 1.5A;
Instantaneous
V
F
Forward Voltage
T
J
= 25°C*
Maximum DC
Reverse Current At
I
R
5.0µA
T
J
= 25°C
Rated DC Blocking
50µA
T
J
= 100°C
Voltage
Typical Junction
C
J
20pF
Measured at
Capacitance
1.0MHz, V
R
=4.0V
*Pulse test: Pulse width 300
µsec,
Duty cycle 1%
**8.3ms single half-wave superimposed on rated load(JEDEC method)
at Ta=75 deg C.
C
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.230
.104
.026
1.000
MM
MIN
5.80
2.60
.70
25.40
DIM
A
B
C
D
MAX
.300
.140
.034
---
MAX
7.60
3.60
.90
---
NOTE
www.mccsemi.com

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描述 1.5 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AL 1.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 1.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41 RECTIFIER DIODE, DO-15 1.5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 1.5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 1.5 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AL 1.5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41 1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15
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