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1N5397

产品描述1.5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小226KB,共2页
制造商DCCOM [ DC COMPONENTS ]
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1N5397概述

1.5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41

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DC COMPONENTS CO., LTD.
R
1N5391
THRU
1N5399
RECTIFIER SPECIALISTS
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SILICON RECTIFIER
VOLTAGE RANGE - 50 to 1000 Volts CURRENT - 1.5 Amperes
FEATURES
*
*
*
*
Low cost
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
DO-15
MECHANICAL DATA
*
*
*
*
*
*
Case: Molded plastic
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
Lead: MIL-STD-202E, Method 208 guaranteed
Polarity: Color band denotes cathode end
Mounting position: Any
Weight: 0.38 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Dimensions in inches and (millimeters)
SYMBOL
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
.375*(9.5mm) lead length at T
L
= 70
o
C
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC Method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.5A DC
o
Maximum DC Reverse Current
@T
A
= 25 C
o
at Rated DC Blocking Voltage
@T
A
= 100 C
Maximum Full Load Reverse Current Average, Full Cycle
o
.375*(9.5mm) lead length at T
L
= 75 C
Typical Junction Capacitance (Note)
Typical Thermal Resistance
Operating and Storage Temperature Range
NOTES : Measured at 1 MH
Z
and applied reverse voltage of 4.0 volts
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
V
F
1N5391 1N5392 1N5393 1N5395 1N5397 1N5398 1N5399
UNITS
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.5
50
1.4
5.0
500
30
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
Volts
uAmps
uAmps
pF
0
I
R
C
J
R
θ
JA
T
J
, T
STG
20
50
-65 to + 175
C/ W
0
C
108

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