电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N5392

产品描述1.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小226KB,共2页
制造商DCCOM [ DC COMPONENTS ]
下载文档 选型对比 全文预览

1N5392在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
1N5392 - - 点击查看 点击购买

1N5392概述

1.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41

文档预览

下载PDF文档
DC COMPONENTS CO., LTD.
R
1N5391
THRU
1N5399
RECTIFIER SPECIALISTS
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SILICON RECTIFIER
VOLTAGE RANGE - 50 to 1000 Volts CURRENT - 1.5 Amperes
FEATURES
*
*
*
*
Low cost
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
DO-15
MECHANICAL DATA
*
*
*
*
*
*
Case: Molded plastic
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
Lead: MIL-STD-202E, Method 208 guaranteed
Polarity: Color band denotes cathode end
Mounting position: Any
Weight: 0.38 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Dimensions in inches and (millimeters)
SYMBOL
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
.375*(9.5mm) lead length at T
L
= 70
o
C
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC Method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.5A DC
o
Maximum DC Reverse Current
@T
A
= 25 C
o
at Rated DC Blocking Voltage
@T
A
= 100 C
Maximum Full Load Reverse Current Average, Full Cycle
o
.375*(9.5mm) lead length at T
L
= 75 C
Typical Junction Capacitance (Note)
Typical Thermal Resistance
Operating and Storage Temperature Range
NOTES : Measured at 1 MH
Z
and applied reverse voltage of 4.0 volts
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
V
F
1N5391 1N5392 1N5393 1N5395 1N5397 1N5398 1N5399
UNITS
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.5
50
1.4
5.0
500
30
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
Volts
uAmps
uAmps
pF
0
I
R
C
J
R
θ
JA
T
J
, T
STG
20
50
-65 to + 175
C/ W
0
C
108

1N5392相似产品对比

1N5392 1N5391 1N5393 1N5395 1N5397 1N5398 1N5399
描述 1.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41 1.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 RECTIFIER DIODE, DO-15 1.5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 1.5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41 1.5 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AL 1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15
uboot的问题
最近在整linux移植,有些问题不是很清楚,望高手指点 1.flash分区是在uboot中指定还是在内核中定义,具体在哪指定(针对NOR Flash)? 2.若用uboot引导双系统改如何实现? ...
greylove 嵌入式系统
SRAM问题
我想问一下STM32没有FSMC的情况下 能不能扩展SRAM芯片IS62WV51216?...
905377346 stm32/stm8
为什么手动连线的时候线边老是不平整
为什么在连线过程中,画出来的的线老是不平整,这个咋设置? ...
aixuexi呀呀呀呀 PCB设计
图中程序中断发生的条件是什么
这段程序是让P0.0口,输出PWM波形,控制LED小灯,形成亮度渐变的效果 main函数中一直在执行的循环while(1),是让频率为100kHz的PWM波形的占空比分别以10% 40% 90%和100%出现渐变。 但是这里 ......
shaorc 51单片机
无线嵌入式信息家电系统智能终端的设计
摘要:传统的家电由于布线复杂,不利于集中控制,本文设计了由性价比高的nRF905单片射频发射器芯片和P87LPc764单片机组成的智能 终端使用的嵌入式无线通信接口,该接口向低端支持I。c、sPI、uA ......
吸铁石上 无线连接
小信号的过零检测
单位要设计了 一电压过零检测电路 需要从几毫伏 到几伏之间 频率小于1khz 的 电压中检测出零点 ,一直很迷茫 我的设计大致步骤如下 希望各位大侠帮帮我小信号 经AGC放大到5伏 经整流滤波后 ......
caesar.song 模拟电子

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1967  72  1147  2903  1643  40  2  24  59  34 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved