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CEDM8004VL TR

产品描述MOSFET P-Ch Enh Mode FET 30V 8.0VGS 450mA
产品类别半导体    分立半导体    晶体管    MOSFET   
文件大小934KB,共6页
制造商Central Semiconductor
标准
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CEDM8004VL TR概述

MOSFET P-Ch Enh Mode FET 30V 8.0VGS 450mA

CEDM8004VL TR规格参数

参数名称属性值
厂商名称Central Semiconductor
产品种类MOSFET
技术Si
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOT-883VL
通道数量1 Channel
晶体管极性P-Channel
Vds-漏源极击穿电压30 V
Id-连续漏极电流450 mA
Rds On-漏源导通电阻1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压1 V
Vgs - 栅极-源极电压8 V
Qg-栅极电荷880 pC
最小工作温度- 65 C
最大工作温度+ 150 C
Pd-功率耗散100 mW
配置Single
通道模式Enhancement
封装Cut Tape
封装MouseReel
封装Reel
高度0.32 mm
长度1.05 mm
产品MOSFET
系列CEDM80
晶体管类型1 P-Channel
宽度0.65 mm
正向跨导 - 最小值200 mS
工厂包装数量8000

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CEDM8004
SURFACE MOUNT SILICON
P-CHANNEL
ENHANCEMENT-MODE
MOSFET
450mA, 30V
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CEDM8004 is an
enhancement-mode P-Channel MOSFET, manufactured
by the P-Channel DMOS process, designed for high
speed pulsed amplifier and driver applications. This
MOSFET offers low rDS(on) and low threshold voltage.
MARKING CODE: V
COMPLEMENTARY N-CHANNEL: CEDM7004
SOT-883L CASE
• Device is
Halogen Free
by design
APPLICATIONS:
• Load/Power switches
• Power supply converter circuits
• Battery powered portable devices
MAXIMUM RATING:
(TA=25°C)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Maximum Pulsed Drain Current, tp<10μs
Continuous Source Current (Body Diode)
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
Thermal Resistance
FEATURES:
• ESD protection up to 2kV
• 0.4mm low package profile
• Low rDS(ON)
• Low threshold voltage
• Logic level compatible
• Small leadless surface mount package
SYMBOL
VDS
VGS
ID
IDM
IS
PD
TJ, Tstg
JA
JC
UNITS
V
V
mA
A
mA
mW
°C
°C/W
°C/W
MAX
3.0
1.0
500
UNITS
μA
μA
μA
mA
V
V
V
Ω
Ω
Ω
mS
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
30
8.0
450
1.0
450
100
-65 to +150
1250
800
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
IGSSF, IGSSR VGS=8.0V, VDS=0
IDSS
VDS=30V, VGS=0
IDSS
VDS=30V, VGS=0, TA=150°C
ID(ON)
VDS=VGS=4.0V
400
BVDSS
VGS=0, ID=100μA
30
VGS(th)
VDS=VGS, ID=250μA
0.5
VSD
VGS=0, IS=100mA
rDS(ON)
VGS=4.5V, ID=430mA
1.0
rDS(ON)
VGS=2.5V, ID=200mA
1.6
rDS(ON)
VGS=1.8V, ID=100mA
2.6
gFS
VDS =10V, ID=100mA
200
Crss
VDS=25V, VGS=0, f=1.0MHz
8.9
Ciss
VDS=25V, VGS=0, f=1.0MHz
45
Coss
VDS=25V, VGS=0, f=1.0MHz
8.5
Qg(tot)
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=1.0A
0.88
Qgs
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=1.0A
0.35
Qgd
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=1.0A
0.128
ton
VDS=15V, VGS=4.0V, RL=50Ω, RG=1.0kΩ
toff
VDS=15V, VGS=4.0V, RL=50Ω, RG=1.0kΩ
1.0
1.1
1.1
2.0
3.3
10
55
15
200
250
R8 (16-May 2017)

 
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