RN2326A,RN2326A pdf中文资料,RN2326A引脚图,RN2326A电路-Datasheet-电子工程世界

RN2326A: 产品描述Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小204KB，共11页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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RN2326A概述

Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

RN2326A规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Toshiba(东芝)
包装说明	USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN
针数	3
Reach Compliance Code	unknow
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)	0.5 A
集电极-发射极最大电压	12 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	140
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	200 MHz

RN2326A相似产品对比

	RN2326A	RN2322A	RN2321A	RN2323A	RN2324A	RN2327A	RN2325A
描述	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
包装说明	USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN	USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN	USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN	USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN
针数	3	3	3	3	3	3	3
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.220	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.047
最大集电极电流 (IC)	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A
集电极-发射极最大电压	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	140	65	35	100	140	140	140
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
元件数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	200 MHz	200 MHz	200 MHz	200 MHz	200 MHz	200 MHz	200 MHz
厂商名称	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	-	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	-	-
零件包装代码	-	SC-70	SC-70	SC-70	SC-70	-	SC-70

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