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SMBTA 06 E6327

产品描述双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80 V 500 mA
产品类别半导体    分立半导体    晶体管    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)   
文件大小526KB,共7页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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SMBTA 06 E6327概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80 V 500 mA

SMBTA 06 E6327规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
产品种类双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOT-23-3
晶体管极性NPN
配置Single
集电极—发射极最大电压 VCEO80 V
集电极—基极电压 VCBO80 V
发射极 - 基极电压 VEBO4 V
集电极—射极饱和电压0.25 V
最大直流电集电极电流1 A
增益带宽产品fT100 MHz
最小工作温度- 65 C
最大工作温度+ 150 C
系列SMBTA06
高度1 mm
长度2.9 mm
封装Cut Tape
封装MouseReel
封装Reel
宽度1.3 mm
集电极连续电流500 mA
Pd-功率耗散330 mW
资格AEC-Q101
工厂包装数量3000
单位重量8 mg

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SMBTA06/MMBTA06
NPN Silicon AF Transistor
Low collector-emitter saturation voltage
Complementary type:
SMBTA 56 / MMBTA56 (PNP)
Pb-free (RoHS compliant) package
Qualified according AEC Q101
3
1
2
Type
SMBTA06/MMBTA06
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Marking
s1G
Pin Configuration
1=B
2=E
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
j
T
stg
Symbol
R
thJS
3=C
Package
SOT23
Value
80
80
4
500
1
100
200
330
150
mW
°C
mA
A
mA
Unit
V
Peak collector current,
t
p
10 ms
Base current
Peak base current
Total power dissipation-
T
S
79 °C
Junction temperature
Storage temperature
Thermal Resistance
Parameter
-65 ... 150
Value
215
Unit
K/W
Junction - soldering point
1)
1
For calculation of
R
thJA please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)
1
2011-12-19

SMBTA 06 E6327相似产品对比

SMBTA 06 E6327 SMBTA06E6327HTSA1 MMBTA-06-LT1 SMBTA-06-E6433 SMBTA06E6433HTMA1 SMBTA06E6327XT
描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80 V 500 mA Bipolar Transistors - BJT NPN 80 V 500 mA Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR Bipolar Transistors - BJT NPN 80 V 500 mA
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) - - Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
配置 Single SINGLE - - SINGLE SINGLE
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