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VSB2045Y-M3/73

产品描述肖特基二极管与整流器 20A 45V .3V@5A TrenchMOS
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小86KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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VSB2045Y-M3/73概述

肖特基二极管与整流器 20A 45V .3V@5A TrenchMOS

VSB2045Y-M3/73规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time12 weeks
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.58 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流250 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流6.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
参考标准IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压45 V
最大反向电流1200 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层MATTE TIN
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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VSB2045Y-M3
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Ultra Low V
F
= 0.30 V at I
F
= 5.0 A
FEATURES
• Trench MOS Schottky technology
Photovoltaic Solar Cell Protection Schottky Rectifier
TMBS
®
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• High forward surge capability
P600
• ESD capability
• High junction temperature 230 °C maximum at DC
forward current
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
• Material categorization: For definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
V
F
at I
F
= 20 A
T
OP
max. (AC mode)
T
J
max. (DC forward current)
Package
Diode variation
20 A
45 V
250 A
0.42 V
150 °C
230 °C
P600
Single die
TYPICAL APPLICATIONS
For use in solar cell junction box as a bypass diode for
protection, using DC forward current without reverse bias.
MECHANICAL DATA
Case:
P600
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant, and
commercial grade
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable
J-STD-002 and JESD 22-B102
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test
Polarity:
Color band denotes cathode end
per
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Device marking code
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum average forward rectified current (fig. 1)
Peak forward surge current 8.3 ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Junction temperature in DC forward current
without reverse bias, t
1 h
Notes
(1)
With heatsink
(2)
Without heatsink, free air
V
RRM
I
F(DC) (1)
I
F(DC)
(2)
SYMBOL
VSB2045Y
V2045Y
45
20
6.5
250
-40 to +150
-40 to +175
230
UNIT
V
A
A
°C
°C
°C
I
FSM
T
OP
T
STG
T
J (1)
Revision: 04-Dec-13
Document Number: 89960
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000
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