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SFAS802GHRN

产品描述整流器 8A, 100V, 35NS, SINGLE RECTIFIER ISOLATED
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小369KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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SFAS802GHRN在线购买

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SFAS802GHRN概述

整流器 8A, 100V, 35NS, SINGLE RECTIFIER ISOLATED

SFAS802GHRN规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PSSO-G2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.95 V
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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SFAS801G - SFAS808G
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
8A, 50V - 600V Surface Mount Super Fast Rectifiers
FEATURES
- Glass passivated junction chip
- Ideal for automated placement
- High efficiency, low VF
- High surge current capability
- Low power loss
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21
TO-263AB (D PAK)
MECHANICAL DATA
Case:
TO-263AB (D
2
PAK)
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020
Part no. with suffix "H" means AEC-Q101 qualified
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
As marked
Weight:
1.33 g (approximately)
2
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage
I
F
= 8 A
Maximum reverse current @ rated V
R
Maximum reverse recovery time (Note 1)
Typical junction capacitance (Note 2)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
T
J
=25°C
T
J
=100°C
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θJC
T
J
T
STG
80
2.2
- 55 to +150
- 55 to +150
0.95
10
400
35
60
SFAS SFAS SFAS SFAS SFAS SFAS SFAS SFAS
801G 802G 803G 804G 805G 806G 807G 808G
50
35
50
100
70
100
150
105
150
200
140
200
8
125
1.3
1.7
300
210
300
400
280
400
500
350
500
600
420
600
UNIT
V
V
V
A
A
V
μA
ns
pF
°C/W
°C
°C
Note 1: Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
Note 2: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.
Document Number: DS_D1405074
Version: M15

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