MOSFET N-Ch 200V 28A DPAK-2
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
产品种类 | MOSFET |
技术 | Si |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | TO-252-3 |
通道数量 | 1 Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Id-连续漏极电流 | 28 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
Pd-功率耗散 | 36 W |
配置 | Single |
通道模式 | Enhancement |
封装 | Cut Tape |
封装 | Reel |
高度 | 2.3 mm |
长度 | 6.5 mm |
系列 | IPD250N06 |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
宽度 | 6.22 mm |
下降时间 | 3 ns |
上升时间 | 3 ns |
工厂包装数量 | 2500 |
典型关闭延迟时间 | 13 ns |
典型接通延迟时间 | 12 ns |
单位重量 | 4 g |
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