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IPD250N06N3 G

产品描述MOSFET N-Ch 200V 28A DPAK-2
产品类别半导体    分立半导体    晶体管    MOSFET   
文件大小616KB,共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IPD250N06N3 G概述

MOSFET N-Ch 200V 28A DPAK-2

IPD250N06N3 G规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
产品种类MOSFET
技术Si
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TO-252-3
通道数量1 Channel
晶体管极性N-Channel
Vds-漏源极击穿电压200 V
Id-连续漏极电流28 A
Rds On-漏源导通电阻25 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压20 V
最小工作温度- 55 C
最大工作温度+ 175 C
Pd-功率耗散36 W
配置Single
通道模式Enhancement
封装Cut Tape
封装Reel
高度2.3 mm
长度6.5 mm
系列IPD250N06
晶体管类型1 N-Channel
宽度6.22 mm
下降时间3 ns
上升时间3 ns
工厂包装数量2500
典型关闭延迟时间13 ns
典型接通延迟时间12 ns
单位重量4 g
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