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SF25GHR0

产品描述整流器 2A, 300V, 35NS, RECTIFIER
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小371KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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SF25GHR0概述

整流器 2A, 300V, 35NS, RECTIFIER

SF25GHR0规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明DO-15, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JEDEC-95代码DO-204AC
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压300 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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SF21G thru SF28G
CREAT BY ART
FEATURES
- Glass passivated chip junction
- High efficiency, Low VF
- High current capability
- High surge current capability
- Low power loss
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Glass Passivated Super Fast Rectifiers
MECHANICAL DATA
Case:
DO-204AC (DO-15)
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free)
Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test
with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test
Weight:
0.4g (approximately)
DO-204AC (DO-15)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25℃ unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@2A
Maximum reverse current @ rated VR
T
J
=25
T
J
=125
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
Trr
Cj
R
θJC
R
θJA
T
J
T
STG
40
16
65
- 55 to +150
- 55 to +150
0.95
5
100
35
20
O
SF
21G
50
35
50
SF
22G
100
70
100
SF
23G
150
105
150
SF
24G
200
140
200
2
50
SF
25G
300
210
300
SF
26G
400
280
400
SF
27G
500
350
500
SF
28G
600
420
600
UNIT
V
V
V
A
A
1.3
1.7
V
μA
ns
pF
C/W
O
O
Maximum reverse recovery time (Note 2)
Typical junction capacitance (Note 3)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300
μs,
1% duty cycle
Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.
C
C
Document Number: DS_D1405017
Version: G14

 
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