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GS8321Z18AGD-400: 产品描述静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M; 产品类别存储存储; 文件大小307KB，共35页; 制造商GSI Technology; 官网地址http://www.gsitechnology.com/; 标准

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GS8321Z18AGD-400概述

静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M

GS8321Z18AGD-400规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	GSI Technology
零件包装代码	BGA
包装说明	LBGA,
针数	165
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B
Factory Lead Time	8 weeks
其他特性	IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e1
长度	15 mm
内存密度	37748736 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM
内存宽度	18
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	165
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	2MX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	13 mm

GS8321Z18AGD-400相似产品对比

	GS8321Z18AGD-400	GS8321Z18AGD-333I	GS8321Z18AGD-150I	GS8321Z18AD-375	GS8321Z36AD-400I	GS8321Z18AGD-250I	GS8321Z36AGD-150	GS8321Z18AGD-375I	GS8321Z36AGD-333I	GS8321Z32AD-333
描述	静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M	静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M	静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M	静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M	静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 36 32M	静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M	静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M	静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M	静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M	静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 32 32M
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	含铅	含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	不符合	不符合	符合	符合	符合	符合	不符合
厂商名称	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	LBGA,	LBGA,	LBGA,	LBGA,	LBGA,	LBGA,	LBGA,	LBGA,	LBGA,	LBGA,
针数	165	165	165	165	165	165	165	165	165	165
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B
Factory Lead Time	8 weeks	8 weeks	8 weeks	8 weeks	8 weeks	8 weeks	8 weeks	8 weeks	8 weeks	8 weeks
其他特性	IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE	IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE	IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE	IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE	IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE	IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE	IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE	IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE	IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE	IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e1	e1	e1	e0	e0	e1	e1	e1	e1	e0
长度	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm
内存密度	37748736 bit	37748736 bit	37748736 bit	37748736 bit	37748736 bit	37748736 bit	37748736 bit	37748736 bit	37748736 bit	33554432 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM
内存宽度	18	18	18	18	36	18	36	18	36	32
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	165	165	165	165	165	165	165	165	165	165
字数	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	1048576 words	2097152 words	1048576 words	2097152 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	2000000	2000000	2000000	2000000	1000000	2000000	1000000	2000000	1000000	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
组织	2MX18	2MX18	2MX18	2MX18	1MX36	2MX18	1MX36	2MX18	1MX36	1MX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260	260	260	260	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm
湿度敏感等级	3	3	3	-	-	3	3	3	3	-

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