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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> GS8321Z18AGD-150I
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GS8321Z18AGD-150I

产品描述静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
产品类别存储    存储   
文件大小307KB，共35页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
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GS8321Z18AGD-150I在线购买

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GS8321Z18AGD-150I概述

静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M

GS8321Z18AGD-150I规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称GSI Technology
零件包装代码BGA
包装说明LBGA,
针数165
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
Factory Lead Time8 weeks
其他特性IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e1
长度15 mm
内存密度37748736 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量165
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织2MX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度13 mm

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描述 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 36 32M 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 32 32M 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
是否无铅 不含铅 不含铅 含铅 含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 不符合 符合 符合 符合 符合 不符合 符合
厂商名称 GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 LBGA, LBGA, LBGA, LBGA, LBGA, LBGA, LBGA, LBGA, LBGA, LBGA,
针数 165 165 165 165 165 165 165 165 165 165
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B
Factory Lead Time 8 weeks 8 weeks 8 weeks 8 weeks 8 weeks 8 weeks 8 weeks 8 weeks 8 weeks 8 weeks
其他特性 IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE
JESD-30 代码 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165
JESD-609代码 e1 e1 e0 e0 e1 e1 e1 e1 e0 e1
长度 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm
内存密度 37748736 bit 37748736 bit 37748736 bit 37748736 bit 37748736 bit 37748736 bit 37748736 bit 37748736 bit 33554432 bit 37748736 bit
内存集成电路类型 ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM
内存宽度 18 18 18 36 18 36 18 36 32 18
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 165 165 165 165 165 165 165 165 165 165
字数 2097152 words 2097152 words 2097152 words 1048576 words 2097152 words 1048576 words 2097152 words 1048576 words 1048576 words 2097152 words
字数代码 2000000 2000000 2000000 1000000 2000000 1000000 2000000 1000000 1000000 2000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
组织 2MX18 2MX18 2MX18 1MX36 2MX18 1MX36 2MX18 1MX36 1MX32 2MX18
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LBGA LBGA LBGA LBGA LBGA LBGA LBGA LBGA LBGA LBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260 260 260 260 NOT SPECIFIED 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm
湿度敏感等级 3 3 - - 3 3 3 3 - 3

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