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74AUP1G38GM,132

产品描述逻辑门 1.8V 1G LP 2-INPT
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小783KB,共19页
制造商Nexperia
官网地址https://www.nexperia.com
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74AUP1G38GM,132概述

逻辑门 1.8V 1G LP 2-INPT

74AUP1G38GM,132规格参数

参数名称属性值
Brand NameNexperia
厂商名称Nexperia
零件包装代码SON
包装说明VSON,
针数6
制造商包装代码SOT886
Reach Compliance Codecompliant
Samacsys Description74AUP1G38 - Low-power 2-input NAND-gate (open drain)@en-us
系列AUP/ULP/V
JESD-30 代码R-PDSO-N6
JESD-609代码e3
长度1.45 mm
逻辑集成电路类型NAND GATE
湿度敏感等级1
功能数量1
输入次数2
端子数量6
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
输出特性OPEN-DRAIN
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VSON
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
传播延迟(tpd)24 ns
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.5 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)0.8 V
标称供电电压 (Vsup)1.2 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度1 mm
Base Number Matches1

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74AUP1G38
Low-power 2-input NAND gate (open drain)
Rev. 7 — 4 April 2016
Product data sheet
1. General description
The 74AUP1G38 provides the single 2-input NAND gate with open-drain output. The
output of the device is an open drain and can be connected to other open-drain outputs to
implement active-LOW wired-OR or active-HIGH wired-AND functions.
Schmitt trigger action at all inputs makes the circuit tolerant to slower input rise and fall
times across the entire V
CC
range from 0.8 V to 3.6 V.
This device ensures a very low static and dynamic power consumption across the entire
V
CC
range from 0.8 V to 3.6 V.
This device is fully specified for partial power-down applications using I
OFF
.
The I
OFF
circuitry disables the output, preventing the damaging backflow current through
the device when it is powered down.
2. Features and benefits
Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V
High noise immunity
Complies with JEDEC standards:
JESD8-12 (0.8 V to 1.3 V)
JESD8-11 (0.9 V to 1.65 V)
JESD8-7 (1.2 V to 1.95 V)
JESD8-5 (1.8 V to 2.7 V)
JESD8-B (2.7 V to 3.6 V)
ESD protection:
HBM JESD22-A114F Class 3A exceeds 5000 V
MM JESD22-A115-A exceeds 200 V
CDM JESD22-C101E exceeds 1000 V
Low static power consumption; I
CC
= 0.9
A
(maximum)
Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78 Class II
Inputs accept voltages up to 3.6 V
Low noise overshoot and undershoot < 10 % of V
CC
I
OFF
circuitry provides partial power-down mode operation
Multiple package options
Specified from
40 C
to +85
C
and
40 C
to +125
C

74AUP1G38GM,132相似产品对比

74AUP1G38GM,132
描述 逻辑门 1.8V 1G LP 2-INPT
Brand Name Nexperia
厂商名称 Nexperia
零件包装代码 SON
包装说明 VSON,
针数 6
制造商包装代码 SOT886
Reach Compliance Code compliant
Samacsys Description 74AUP1G38 - Low-power 2-input NAND-gate (open drain)@en-us
系列 AUP/ULP/V
JESD-30 代码 R-PDSO-N6
JESD-609代码 e3
长度 1.45 mm
逻辑集成电路类型 NAND GATE
湿度敏感等级 1
功能数量 1
输入次数 2
端子数量 6
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -40 °C
输出特性 OPEN-DRAIN
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 VSON
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度) 260
传播延迟(tpd) 24 ns
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 0.5 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 0.8 V
标称供电电压 (Vsup) 1.2 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE
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