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TSZU52C12 RGG

产品描述稳压二极管 12 Volt 150mW 10%
产品类别半导体    分立半导体    二极管与整流器    稳压二极管   
文件大小174KB,共6页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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TSZU52C12 RGG概述

稳压二极管 12 Volt 150mW 10%

TSZU52C12 RGG规格参数

参数名称属性值
厂商名称Taiwan Semiconductor
产品种类稳压二极管
Vz - 齐纳电压12 V
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体0603 (1608 metric)
Pd-功率耗散150 mW
电压容差10 %
齐纳电流0.1 uA
Zz - 齐纳阻抗20 Ohms
最小工作温度- 55 C
最大工作温度+ 125 C
配置Single
测试电流5 mA
封装Cut Tape
封装MouseReel
封装Reel
高度0.85 mm
长度1.8 mm
宽度1 mm
Ir - 反向电流 0.1 uA
工厂包装数量4000
Vf - 正向电压900 mV
单位重量3 mg

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TSZU52C2V0 - TSZU52C39
Taiwan Semiconductor
Small Signal Product
SMD Zener Diode
FEATURES
- Wide zener voltage range selection: 2.0V to 39V
- Designed for mounting on small surface
- Extremely thin / leadless package
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21
0603
MECHANICAL DATA
- Case: 0603
- Terminal: Gold plated, solderable per
MIL-STD-750, method 2026
- Polarity: Indicated by cathode band
- Weight: 3 mg (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Power Dissipation
Forward Voltage
SYMBOL
P
D
V
F
I
FSM
T
J
, T
STG
VALUE
150
0.9
2
-55 to +125
UNIT
mW
V
A
°C
@ I
F
= 10mA
Forward Current, Surge Peak 8.3 ms Single Half
Sine-Wave Superimposed on Rate Load
Junction and Storage Temperature Range
Version: F1601

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