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RUS150

产品描述1.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小41KB,共2页
制造商EDI [Electronic devices inc.]
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RUS150概述

1.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE

RUS150规格参数

参数名称属性值
厂商名称EDI [Electronic devices inc.]
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
应用ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流1.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压500 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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RUS
50 ULTRA-FAST RECOVERY AXIAL
LEAD RECTIFIER DIODES
RUS2
PRV to 600 V
50ns recovery
Small size
High temperature stability
High surge capability
Exceptionally low leakage
Avalanche characteristics
RUS3
RUS4
RUS1
PRV
RUS1
RUS2
RUS3
RUS4
200V
RUS120
RUS220
RUS320
RUS420
400V
RUS140
RUS240
RUS340
RUS440
500V
RUS150
RUS250
RUS350
RUS450
600V
RUS160
RUS260
RUS360
RUS460
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(at T
A
=25
o
C Unless Otherwise Specified)
RUS1
Average Rectified Forward Current, I
O
@80
o
C
lead temperature, L=3/8 (Fig.1)
RUS2
RUS3
RUS4
UNITS
1.5
3.5
5
5
Amps
o
Max. DC Reverse Current @ PRV and 25 C, I
R
1
5
5
5
A
A
Amps(pk)
Volts
Amps
nsec.
Max. DC Reverse Current @ PRV and 100
o
C, I
R
Max. Peak Surge Current, I
FSM
(8.3
sec) (Fig2)
Max. Forward Voltage Drop @ 25
o
C, V F
with Forward Current pulse I F (300
Reverse Recovery Time, T
rr (Fig.4)
Ambient Operating Temperature Range, T
A
Storage Temperature Range, T
STG
sec width)
50
50
1.3
1
50
100
100
1.3
3
50
100
240
1.3
4
50
-55 to +150
o
100
320
1.3
5
50
C
-55 to +150
o
C
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