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NSB8JT/81

产品描述整流器 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小165KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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NSB8JT/81概述

整流器 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

NSB8JT/81规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码D2PAK
包装说明R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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NS8xT, NSF8xT, NSB8xT
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Glass Passivated General Purpose Plastic Rectifier
TO-220AC
ITO-220AC
FEATURES
• Power pack
• Glass passivated pellet chip junction
• Low forward voltage drop
• High forward surge capability
• Meets MSL level 1, per J-STD-020,
LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
(for TO-220AC and ITO-220AC package)
• AEC-Q101 qualified available
- Automotive ordering code: base P/NHE3
(for ITO-220AC and TO-263AB package)
• Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
2
1
NS8xT
PIN 1
PIN 2
2
1
NSF8xT
PIN 1
CASE
PIN 2
D
2
PAK (TO-263AB)
K
2
1
NSB8xT
PIN 1
PIN 2
K
HEATSINK
TYPICAL APPLICATIONS
For use in general purpose rectification of power supplies,
inverters, converters and freewheeling diodes application.
DESIGN SUPPORT TOOLS
Models
Available
click logo to get started
MECHANICAL DATA
Case:
TO-220AC, ITO-220AC, D
2
PAK (TO-263AB)
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS-compliant
Base P/NHE3_X - RoHS-compliant, AEC-Q101 qualified
(“_X” denotes revision code e.g. A, B,...)
Terminals:
matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HE3 suffix
meets JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
as marked
Mounting Torque:
10 in-lbs maximum
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
max.
Package
Circuit configuration
8.0 A
50 V to 1000 V
125 A
1.1 V
150 °C
TO-220AC, ITO-220AC, D
2
PAK (TO-263AB)
Single
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
at T
C
= 100 °C
Peak forward surge current 8.3 ms single sine-wave
superimposed on rated load
Operating junction and storage temperature range
Isolation voltage (ITO-220AC only)
from terminal to heatsink t = 1 min
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
T
J
, T
STG
V
AC
NS8AT
50
35
50
NS8BT NS8DT NS8GT
100
70
100
200
140
200
400
280
400
8.0
125
-55 to +150
1500
NS8JT
600
420
600
NS8KT NS8MT UNIT
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
°C
V
Revision: 13-Jun-2018
Document Number: 88690
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000
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