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BYWE29-200-E3/45

产品描述整流器 8.0 Amp 200 Volt
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小120KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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BYWE29-200-E3/45概述

整流器 8.0 Amp 200 Volt

BYWE29-200-E3/45规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JEDEC-95代码TO-220AC
JESD-30 代码R-PSFM-T2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.025 µs
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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VE2045C-E3
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Ultra Low V
F
= 0.42 V at I
F
= 5 A
Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
TMBS
®
TO-220AB
FEATURES
• Power pack
• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
• Material categorization: For definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
3
2
1
VE2045C
PIN 1
PIN 3
PIN 2
CASE
TYPICAL APPLICATIONS
For use in low voltage, high frequency rectifier of switching
power supplies, freewheeling diodes, DC/DC converters,
and polarity protection application.
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
V
F
at I
F
= 10 A (T
A
= 125 °C)
T
J
max.
Package
Diode variations
2 x 10 A
45 V
100 A
0.54 V
150 °C
TO-220AB
Common cathode
MECHANICAL DATA
Case:
TO-220AB
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test
Polarity:
As marked
Mounting Torque:
10 in-lbs maximum
per
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum average forward rectified current (fig. 1)
per device
per diode
SYMBOL
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
T
J
, T
STG
VE2045C-E3
45
20
10
100
-40 to +150
UNIT
V
A
A
°C
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load per diode
Operating junction and storage temperature range
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Instantaneous forward voltage
per diode
TEST CONDITIONS
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
Reverse current per diode
V
R
= 45 V
T
A
= 25 °C
V
F (1)
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
I
R (2)
SYMBOL
TYP.
0.50
0.60
0.42
0.54
-
3
MAX.
-
0.70
-
0.63
500
15
μA
mA
V
UNIT
Notes
(1)
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle
(2)
Pulse test: Pulse width
5 ms
Revision: 20-Dec-13
Document Number: 89980
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000
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