MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
产品种类 | MOSFET |
技术 | Si |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | TDSON-8 |
通道数量 | 1 Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Id-连续漏极电流 | 13.8 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 8.2 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 156 W |
配置 | Single |
通道模式 | Enhancement |
封装 | Cut Tape |
封装 | MouseReel |
封装 | Reel |
高度 | 1.27 mm |
长度 | 5.9 mm |
系列 | OptiMOS 2 |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
宽度 | 5.15 mm |
下降时间 | 12 ns |
上升时间 | 24 ns |
工厂包装数量 | 5000 |
典型关闭延迟时间 | 53 ns |
典型接通延迟时间 | 19 ns |
单位重量 | 200 mg |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved