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BSC082N10LS G

产品描述MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
产品类别半导体    分立半导体    晶体管    MOSFET   
文件大小668KB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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BSC082N10LS G概述

MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC082N10LS G规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
产品种类MOSFET
技术Si
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TDSON-8
通道数量1 Channel
晶体管极性N-Channel
Vds-漏源极击穿电压100 V
Id-连续漏极电流13.8 A
Rds On-漏源导通电阻8.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压20 V
最小工作温度- 55 C
最大工作温度+ 150 C
Pd-功率耗散156 W
配置Single
通道模式Enhancement
封装Cut Tape
封装MouseReel
封装Reel
高度1.27 mm
长度5.9 mm
系列OptiMOS 2
晶体管类型1 N-Channel
宽度5.15 mm
下降时间12 ns
上升时间24 ns
工厂包装数量5000
典型关闭延迟时间53 ns
典型接通延迟时间19 ns
单位重量200 mg
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