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1N5236BT

产品描述ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,2.4V V(Z),5%,DO-35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小82KB,共3页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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1N5236BT概述

ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,2.4V V(Z),5%,DO-35

1N5236BT规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DO-41
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗6 Ω
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压7.5 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
最大电压容差5%
Base Number Matches1

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Zeners (1N5221B - 1N5279B)
Zeners
1N5221B - 1N5279B
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
P
D
T
STG
T
J
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Tolerance = 5%
Parameter
Power Dissipation
Derate above 75°C
Storage Temperature Range
Maximum Junction Operating Temperature
Lead Temperature (1/16” from case for 10
seconds)
Value
500
4.0
-65 to +200
+ 200
+ 230
Units
mW
mW/°C
°C
°C
°C
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
**
Non-recurrent square wave PW= 8.3 ms, TA= 50 degrees C.
NOTES:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed
or low duty cycle operations.
DO-35 Glass case
COLOR BAND DENOTES CATHODE
Electrical Characteristics
Device
1N5221B
1N5222B
1N5223B
1N5224B
1N5225B
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235BT
1N5236BT
1N5237BT
1N5238BT
1N5239BT
1N5240BT
1N5241BT
1N5242BT
1N5243BT
1N5244BT
1N5245BT
T
A
= 25°C unless otherwise noted
V
Z
(V)
2.4
2.5
2.7
2.8
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
(Ω)
30
30
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7.0
7.0
5.0
6.0
8.0
8.0
10
17
22
30
13
15
16
Z
Z
@
I
Z
(mA)
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9.0
8.5
Z
ZK
(Ω)
1,200
1,250
1,300
1,400
1,600
1,600
1,700
1,900
2,000
1,900
1,600
1,600
1,600
1,000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
@
I
ZK
(mA)
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
(µA)
µ
100
100
75
75
50
25
15
10
5.0
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
8.4
0.1
0.1
0.1
0.1
I
R
@
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
8.4
9.1
9.9
10
11
(%/°C)
°
- 0.085
- 0.085
- 0.080
- 0.080
- 0.075
- 0.07
- 0.065
- 0.06
+/- 0.055
+/- 0.03
+/- 0.03
0.038
0.038
0.045
0.05
0.058
0.062
0.065
0.068
0.075
0.076
0.077
0.079
0.080
0.082
T
C
2003
Fairchild Semiconductor Corporation
1N5221B-1N5279B Rev. E
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