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GS81302DT19E-333I

产品描述静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 8M x 18 144M
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共31页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
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GS81302DT19E-333I概述

静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 8M x 18 144M

GS81302DT19E-333I规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称GSI Technology
零件包装代码BGA
包装说明LBGA,
针数165
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
Factory Lead Time12 weeks
最长访问时间0.45 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码R-PBGA-B165
长度17 mm
内存密度150994944 bit
内存集成电路类型QDR SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量165
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8MX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.5 mm
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15 mm

GS81302DT19E-333I相似产品对比

GS81302DT19E-333I GS81302DT19GE-300 GS81302DT37GE-300I GS81302DT10E-350 GS81302DT19GE-400 GS81302DT19GE-400I GS81302DT19GE-350I GS81302DT10GE-450I GS81302DT10GE-450
描述 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 8M x 18 144M 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 8M x 18 144M 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 36 144M 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 16M x 9 144M 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 8M x 18 144M 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 8M x 18 144M 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 8M x 18 144M 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 16M x 9 144M 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 16M x 9 144M
厂商名称 GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology
组织 8MX18 8MX18 4MX36 16MX9 8 M x 18 8MX18 8MX18 16MX9 16MX9
是否无铅 含铅 不含铅 不含铅 含铅 - 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 不符合 - 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA - BGA BGA BGA BGA
包装说明 LBGA, LBGA, LBGA, LBGA, - LBGA, LBGA, LBGA, LBGA,
针数 165 165 165 165 - 165 165 165 165
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant - compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B - 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B
Factory Lead Time 12 weeks 12 weeks 12 weeks 12 weeks - 12 weeks 12 weeks 12 weeks 12 weeks
最长访问时间 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns - 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns
其他特性 PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE - PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 - R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165
长度 17 mm 17 mm 17 mm 17 mm - 17 mm 17 mm 17 mm 17 mm
内存密度 150994944 bit 150994944 bit 150994944 bit 150994944 bit - 150994944 bit 150994944 bit 150994944 bit 150994944 bit
内存集成电路类型 QDR SRAM QDR SRAM QDR SRAM QDR SRAM - QDR SRAM QDR SRAM QDR SRAM QDR SRAM
内存宽度 18 18 36 9 - 18 18 9 9
功能数量 1 1 1 1 - 1 1 1 1
端子数量 165 165 165 165 - 165 165 165 165
字数 8388608 words 8388608 words 4194304 words 16777216 words - 8388608 words 8388608 words 16777216 words 16777216 words
字数代码 8000000 8000000 4000000 16000000 - 8000000 8000000 16000000 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C - 85 °C 85 °C 85 °C 70 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C - - -40 °C -40 °C -40 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LBGA LBGA LBGA LBGA - LBGA LBGA LBGA LBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE - GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL - PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260 260 NOT SPECIFIED - 260 260 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm - 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V - 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V - 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V - 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES - YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS - CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL - INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL - BALL BALL BALL BALL
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm - 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM - BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm - 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm
JESD-609代码 - e1 e1 - - e1 e1 e1 e1
湿度敏感等级 - 3 3 - - 3 3 3 3
端子面层 - Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) - - Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

 
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