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HS9-4424RH/PROTO

产品描述门驱动器 RADIATION HARDENED DUAL POWER MOSFET DRIVER
产品类别模拟混合信号IC    驱动程序和接口   
文件大小233KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HS9-4424RH/PROTO概述

门驱动器 RADIATION HARDENED DUAL POWER MOSFET DRIVER

HS9-4424RH/PROTO规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码DFP
包装说明DFP,
针数16
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码USML XV(E)
高边驱动器NO
接口集成电路类型BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码R-CDFP-F16
JESD-609代码e0
功能数量2
端子数量16
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
标称输出峰值电流2 A
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.92 mm
最大供电电压18 V
最小供电电压12 V
标称供电电压15 V
表面贴装YES
技术BICMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
断开时间0.25 µs
接通时间0.25 µs
宽度6.73 mm

HS9-4424RH/PROTO相似产品对比

HS9-4424RH/PROTO HS9-4424BRH/PROTO
描述 门驱动器 RADIATION HARDENED DUAL POWER MOSFET DRIVER 门驱动器 RADIATION HARDENED NON INV MOSFET DR W/7.5V LVLO, CLASS V
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码 DFP DFP
包装说明 DFP, DFP,
针数 16 16
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 USML XV(E) USML XV(E)
高边驱动器 NO NO
接口集成电路类型 BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码 R-CDFP-F16 R-CDFP-F16
JESD-609代码 e0 e0
功能数量 2 2
端子数量 16 16
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
标称输出峰值电流 2 A 2 A
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DFP DFP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2.92 mm 2.92 mm
最大供电电压 18 V 18 V
最小供电电压 12 V 12 V
标称供电电压 15 V 15 V
表面贴装 YES YES
技术 BICMOS BICMOS
温度等级 MILITARY MILITARY
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 FLAT FLAT
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
断开时间 0.25 µs 0.25 µs
接通时间 0.25 µs 0.25 µs
宽度 6.73 mm 6.73 mm
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