电可擦除可编程只读存储器 128kx8 - 1.8V
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | DFN |
| 包装说明 | VSON, SOLCC8,.25 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Factory Lead Time | 14 weeks |
| 其他特性 | 200 YEARS OF DATA RETENTION; 1000000 ENDURANCE CYCLES/WORD |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 20 MHz |
| 耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-N8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 5.99 mm |
| 内存密度 | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 128KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VSON |
| 封装等效代码 | SOLCC8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 2/5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1 mm |
| 串行总线类型 | SPI |
| 最大待机电流 | 0.000001 A |
| 最大压摆率 | 0.01 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 4.92 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 6 ms |
| 写保护 | HARDWARE/SOFTWARE |
| Base Number Matches | 1 |
| 25AA1024T-I/MF | 25AA1024T-I-SM | 25AA1024-I-S16K | 25AA1024-I/WF16K | 25AA1024-I/W16K | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 电可擦除可编程只读存储器 128kx8 - 1.8V | EEPROM 128kx8 - 1.8V | EEPROM 1024k, 128K X 8 , 1.8V SER EE, DIE in WAFFLE PK | EEPROM 1024k, 128K X 8 , 1.8V SER EE, WAFER on FR | EEPROM 1024k, 128K X 8 , 1.8V SER EE, WAFER |
| 包装说明 | VSON, SOLCC8,.25 | - | - | DIE, | DIE, |
| Reach Compliance Code | compliant | - | - | unknown | unknown |
| 其他特性 | 200 YEARS OF DATA RETENTION; 1000000 ENDURANCE CYCLES/WORD | - | - | ALSO OPERATES WITH 2.5VMIN @ 10MHZ AND 1.8VMIN @ 2MHZ | ALSO OPERATES WITH 2.5VMIN @ 10MHZ AND 1.8VMIN @ 2MHZ |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 20 MHz | - | - | 20 MHz | 20 MHz |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-N8 | - | - | R-XUUC-N | R-XUUC-N |
| 内存密度 | 1048576 bit | - | - | 1048576 bit | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | - | - | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | - | - | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | - | - | 1 | 1 |
| 字数 | 131072 words | - | - | 131072 words | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 | - | - | 128000 | 128000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | - | - | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | - | - | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | - | - | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 128KX8 | - | - | 128KX8 | 128KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | - | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | VSON | - | - | DIE | DIE |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE | - | - | UNCASED CHIP | UNCASED CHIP |
| 并行/串行 | SERIAL | - | - | SERIAL | SERIAL |
| 串行总线类型 | SPI | - | - | SPI | SPI |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | - | - | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V | - | - | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | - | - | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | - | - | YES | YES |
| 技术 | CMOS | - | - | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | - | - | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | NO LEAD | - | - | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL | - | - | UPPER | UPPER |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 6 ms | - | - | 5 ms | 5 ms |
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