EEPROM 1024k, 128K X 8 , 1.8V SER EE, WAFER
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Microchip(微芯科技) |
包装说明 | DIE, |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | ALSO OPERATES WITH 2.5VMIN @ 10MHZ AND 1.8VMIN @ 2MHZ |
最大时钟频率 (fCLK) | 20 MHz |
JESD-30 代码 | R-XUUC-N |
内存密度 | 1048576 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 128KX8 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIE |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | UNCASED CHIP |
并行/串行 | SERIAL |
串行总线类型 | SPI |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | UPPER |
最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms |
25AA1024-I/W16K | 25AA1024T-I-SM | 25AA1024-I-S16K | 25AA1024-I/WF16K | 25AA1024T-I/MF | |
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描述 | EEPROM 1024k, 128K X 8 , 1.8V SER EE, WAFER | EEPROM 128kx8 - 1.8V | EEPROM 1024k, 128K X 8 , 1.8V SER EE, DIE in WAFFLE PK | EEPROM 1024k, 128K X 8 , 1.8V SER EE, WAFER on FR | 电可擦除可编程只读存储器 128kx8 - 1.8V |
包装说明 | DIE, | - | - | DIE, | VSON, SOLCC8,.25 |
Reach Compliance Code | unknown | - | - | unknown | compliant |
其他特性 | ALSO OPERATES WITH 2.5VMIN @ 10MHZ AND 1.8VMIN @ 2MHZ | - | - | ALSO OPERATES WITH 2.5VMIN @ 10MHZ AND 1.8VMIN @ 2MHZ | 200 YEARS OF DATA RETENTION; 1000000 ENDURANCE CYCLES/WORD |
最大时钟频率 (fCLK) | 20 MHz | - | - | 20 MHz | 20 MHz |
JESD-30 代码 | R-XUUC-N | - | - | R-XUUC-N | R-PDSO-N8 |
内存密度 | 1048576 bit | - | - | 1048576 bit | 1048576 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM | - | - | EEPROM | EEPROM |
内存宽度 | 8 | - | - | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | - | - | 1 | 1 |
字数 | 131072 words | - | - | 131072 words | 131072 words |
字数代码 | 128000 | - | - | 128000 | 128000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | - | - | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | - | - | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | - | - | -40 °C | -40 °C |
组织 | 128KX8 | - | - | 128KX8 | 128KX8 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | - | - | UNSPECIFIED | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIE | - | - | DIE | VSON |
封装形状 | RECTANGULAR | - | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | UNCASED CHIP | - | - | UNCASED CHIP | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE |
并行/串行 | SERIAL | - | - | SERIAL | SERIAL |
串行总线类型 | SPI | - | - | SPI | SPI |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | - | - | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | - | - | 4.5 V | 1.8 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | - | - | 5 V | 2.5 V |
表面贴装 | YES | - | - | YES | YES |
技术 | CMOS | - | - | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | - | - | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子形式 | NO LEAD | - | - | NO LEAD | NO LEAD |
端子位置 | UPPER | - | - | UPPER | DUAL |
最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms | - | - | 5 ms | 6 ms |
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