SFF9130M概述

-11 AMP -100 VOLTS 0.30 ohm P-Channel Power MOSFET

SFF9130M规格参数

	SFF9130M	SFF9130Z
描述	-11 AMP -100 VOLTS 0.30 ohm P-Channel Power MOSFET	-11 AMP -100 VOLTS 0.30 ohm P-Channel Power MOSFET
厂商名称	SSDI	SSDI
零件包装代码	TO-254	TO-254Z
包装说明	TO-254, 3 PIN	HERMETIC SEALED, TO-254Z, 3 PIN
针数	3	3
Reach Compliance Code	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	81 mJ	81 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	11 A	11 A
最大漏极电流 (ID)	11 A	11 A
最大漏源导通电阻	0.35 Ω	0.35 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	S-MSFM-P3	S-MSFM-P3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL
封装形状	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	63 W	63 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ