SFF9140M概述

-18 AMP -100 VOLTS 0.20 ohm P-Channel Power MOSFET

SFF9140M规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SSDI
零件包装代码	TO-254
针数	3
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	500 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (ID)	18 A
最大漏源导通电阻	0.23 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254AA
JESD-30 代码	S-MSFM-P3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	METAL
封装形状	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	P-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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SFF9140M相似产品对比

	SFF9140M	SFF9140Z
描述	-18 AMP -100 VOLTS 0.20 ohm P-Channel Power MOSFET	-18 AMP -100 VOLTS 0.20 ohm P-Channel Power MOSFET
厂商名称	SSDI	SSDI
零件包装代码	TO-254	TO-254Z
针数	3	3
Reach Compliance Code	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	500 mJ	500 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V	100 V
最大漏极电流 (ID)	18 A	18 A
最大漏源导通电阻	0.23 Ω	0.23 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	S-MSFM-P3	S-MSFM-P3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	METAL	METAL
封装形状	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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