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UP0487800L

产品描述MOSFET 2N-CH 50V .1A SS-MINI-6P
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小229KB,共3页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
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UP0487800L概述

MOSFET 2N-CH 50V .1A SS-MINI-6P

UP0487800L规格参数

参数名称属性值
FET 类型2 个 N 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源电压(Vdss)50V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)100mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)12 欧姆 @ 10mA,4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)12pF @ 3V
功率 - 最大值125mW
工作温度125°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商器件封装SSMINI6-F1

UP0487800L相似产品对比

UP0487800L UP04878G0L UP04878G
描述 MOSFET 2N-CH 50V .1A SS-MINI-6P MOSFET 2N-CH 50V .1A SSMINI-6 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SSMINI6-F2, 6 PIN
FET 类型 2 个 N 沟道(双) 2 个 N 沟道(双) -
FET 功能 逻辑电平门 逻辑电平门 -
漏源电压(Vdss) 50V 50V -
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA 100mA -
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 12 欧姆 @ 10mA,4V 12 欧姆 @ 10mA,4V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1µA 1.5V @ 1µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 12pF @ 3V 12pF @ 3V -
功率 - 最大值 125mW 125mW -
工作温度 125°C(TJ) 125°C(TJ) -
安装类型 表面贴装 表面贴装 -
封装/外壳 SOT-563,SOT-666 SOT-563,SOT-666 -
供应商器件封装 SSMINI6-F1 SSMini6-F2 -
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