UP04878G0L,UP04878G0L pdf中文资料,UP04878G0L引脚图,UP04878G0L电路-Datasheet-电子工程世界

UP04878G0L: 产品描述MOSFET 2N-CH 50V .1A SSMINI-6; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小229KB，共3页; 制造商Panasonic(松下); 官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html; 标准

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UP04878G0L概述

MOSFET 2N-CH 50V .1A SSMINI-6

	UP04878G0L	UP0487800L	UP04878G
描述	MOSFET 2N-CH 50V .1A SSMINI-6	MOSFET 2N-CH 50V .1A SS-MINI-6P	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SSMINI6-F2, 6 PIN
FET 类型	2 个 N 沟道（双）	2 个 N 沟道（双）	-
FET 功能	逻辑电平门	逻辑电平门	-
漏源电压（Vdss）	50V	50V	-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	100mA	100mA	-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	12 欧姆 @ 10mA，4V	12 欧姆 @ 10mA，4V	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 1µA	1.5V @ 1µA	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	12pF @ 3V	12pF @ 3V	-
功率 - 最大值	125mW	125mW	-
工作温度	125°C（TJ）	125°C（TJ）	-
安装类型	表面贴装	表面贴装	-
封装/外壳	SOT-563，SOT-666	SOT-563，SOT-666	-
供应商器件封装	SSMini6-F2	SSMINI6-F1	-

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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