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CN4157 BK

产品描述DIODE GEN PURP 20V DO35
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小342KB,共3页
制造商Central Semiconductor
标准
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CN4157 BK概述

DIODE GEN PURP 20V DO35

CN4157 BK规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)20V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf2.66V @ 100mA
速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流10µA @ 20V
安装类型通孔
封装/外壳DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装DO-35
工作温度 - 结-65°C ~ 150°C

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C1N4156
CN4157
CN5179
SILICON
FORWARD REFERENCE DIODES
DESCRIPTION:
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
The CENTRAL SEMICONDUCTOR C1N4156, CN41567, and
CN5179 are multi-chip silicon diodes designed for applications
requiring controlled forward voltage characteristics such as
voltage regulation, sensing, and comparing.
MARKING: FULL PART NUMBER
DO-35 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
SYMBOL
PD
TJ, Tstg
400
-65 to +150
UNITS
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
C1N4156
CN4157
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN MAX
MIN MAX
IR
VR=20V
-
10
-
10
VF
IF=1.0mA
1.21 1.41
1.85 2.05
VF
VF
IF=10mA
IF=100mA
1.38
1.54
1.58
1.84
2.12
2.36
2.32
2.66
CN5179
MIN MAX
-
10
2.20
2.60
3.00
2.80
3.20
3.70
UNITS
μA
V
V
V
R2 (20-January 2016)

CN4157 BK相似产品对比

CN4157 BK CN4157 TR CN5179 BK
描述 DIODE GEN PURP 20V DO35 DIODE GEN PURP 20V DO35 DIODE GEN PURP 20V DO35
二极管类型 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 20V 20V 20V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 2.66V @ 100mA 2.66V @ 100mA 3.7V @ 100mA
速度 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 10µA @ 20V 10µA @ 20V 10µA @ 20V
安装类型 通孔 通孔 通孔
封装/外壳 DO-204AH,DO-35,轴向 DO-204AH,DO-35,轴向 DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装 DO-35 DO-35 DO-35
工作温度 - 结 -65°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C

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