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NAND256W3A0BE06

产品描述IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP
产品类别存储   
文件大小1MB,共61页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准
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NAND256W3A0BE06概述

IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP

NAND256W3A0BE06规格参数

参数名称属性值
存储器类型非易失
存储器格式闪存
技术FLASH - NAND
存储容量256Mb (32M x 8)
写周期时间 - 字,页50ns
访问时间50ns
存储器接口并联
电压 - 电源2.7 V ~ 3.6 V
工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型表面贴装
封装/外壳48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
供应商器件封装48-TSOP

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NAND128-A NAND256-A
128-Mbit or 256-Mbit, 528-byte/264-word page,
3 V, SLC NAND flash memories
Features
High density NAND flash memories
– Up to 256-Mbit memory array
– Up to 32-Mbit spare area
– Cost effective solutions for mass storage
applications
NAND interface
– x8 or x16 bus width
– Multiplexed address/ data
– Pinout compatibility for all densities
Supply voltage
– V
DD
= 2.7 to3.6 V
Page size
– x8 device: (512 + 16 spare) bytes
– x16 device: (256 + 8 spare) words
Block size
– x8 device: (16 K + 512 spare) bytes
– x16 device: (8 K + 256 spare) words
Page read/program
– Random access: 12 µs (3V)/15 us (1.8V)
(max)
– Sequential access: 50 ns (min)
– Page program time: 200 µs (typ)
Copy back program mode
– Fast page copy without external buffering
Fast block erase
– Block erase time: 2 ms (typical)
Status register
Electronic signature
Chip enable ‘don’t care’
– Simple interface with microcontroller
Security features
– OTP area
– Serial number (unique ID)
TSOP48 12 x 20mm
FBGA
VFBGA55 8 x 10 x 1.05mm
Hardware data protection
– Program/erase locked during power
transitions
Data integrity
– 100,000 program/erase cycles
– 10 years data retention
RoHS compliance
– Lead-free components are compliant with
the RoHS directive
Development tools
– Error correction code software and
hardware models
– Bad blocks management and wear leveling
algorithms
– File system OS native reference software
– Hardware simulation models
January 2018
Rev. 18
1/60
www.numonyx.com
1

NAND256W3A0BE06相似产品对比

NAND256W3A0BE06 NAND128W3AABN6E NAND256W3A0BN6E NAND256W3A2BE06 NAND128W3A2BN6E NAND128W3A0BN6F TR NAND128W3A2BN6F TR
描述 IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP IC FLASH 128M PARALLEL 48TSOP IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP IC FLASH 256M PARALLEL WAFER IC FLASH 128M PARALLEL 48TSOP IC FLASH 128M PARALLEL 48TSOP IC FLASH 128M PARALLEL 48TSOP
技术 FLASH - NAND CMOS CMOS FLASH - NAND CMOS FLASH - NAND FLASH - NAND
存储器类型 非易失 - - 非易失 - 非易失 非易失
存储器格式 闪存 - - 闪存 - 闪存 闪存
存储容量 256Mb (32M x 8) - - 256Mb (32M x 8) - 128Mb (16M x 8) 128Mb (16M x 8)
写周期时间 - 字,页 50ns - - 50ns - 50ns 50ns
访问时间 50ns - - 50ns - 50ns 50ns
存储器接口 并联 - - 并联 - 并联 并联
电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V - - 2.7 V ~ 3.6 V - 2.7 V ~ 3.6 V 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA) - - -40°C ~ 85°C(TA) - -40°C ~ 85°C(TA) -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型 表面贴装 - - 表面贴装 - 表面贴装 表面贴装

 
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