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NAND128W3AABN6E

产品描述IC FLASH 128M PARALLEL 48TSOP
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共61页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准
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NAND128W3AABN6E概述

IC FLASH 128M PARALLEL 48TSOP

NAND128W3AABN6E规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP-48
针数48
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间35 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G48
JESD-609代码e3
长度18.4 mm
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量48
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织16MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
编程电压3 V
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
类型SLC NAND TYPE
宽度12 mm

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NAND128-A NAND256-A
128-Mbit or 256-Mbit, 528-byte/264-word page,
3 V, SLC NAND flash memories
Features
High density NAND flash memories
– Up to 256-Mbit memory array
– Up to 32-Mbit spare area
– Cost effective solutions for mass storage
applications
NAND interface
– x8 or x16 bus width
– Multiplexed address/ data
– Pinout compatibility for all densities
Supply voltage
– V
DD
= 2.7 to3.6 V
Page size
– x8 device: (512 + 16 spare) bytes
– x16 device: (256 + 8 spare) words
Block size
– x8 device: (16 K + 512 spare) bytes
– x16 device: (8 K + 256 spare) words
Page read/program
– Random access: 12 µs (3V)/15 us (1.8V)
(max)
– Sequential access: 50 ns (min)
– Page program time: 200 µs (typ)
Copy back program mode
– Fast page copy without external buffering
Fast block erase
– Block erase time: 2 ms (typical)
Status register
Electronic signature
Chip enable ‘don’t care’
– Simple interface with microcontroller
Security features
– OTP area
– Serial number (unique ID)
TSOP48 12 x 20mm
FBGA
VFBGA55 8 x 10 x 1.05mm
Hardware data protection
– Program/erase locked during power
transitions
Data integrity
– 100,000 program/erase cycles
– 10 years data retention
RoHS compliance
– Lead-free components are compliant with
the RoHS directive
Development tools
– Error correction code software and
hardware models
– Bad blocks management and wear leveling
algorithms
– File system OS native reference software
– Hardware simulation models
January 2018
Rev. 18
1/60
www.numonyx.com
1

NAND128W3AABN6E相似产品对比

NAND128W3AABN6E NAND256W3A0BE06 NAND256W3A0BN6E NAND256W3A2BE06 NAND128W3A2BN6E NAND128W3A0BN6F TR NAND128W3A2BN6F TR
描述 IC FLASH 128M PARALLEL 48TSOP IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP IC FLASH 256M PARALLEL WAFER IC FLASH 128M PARALLEL 48TSOP IC FLASH 128M PARALLEL 48TSOP IC FLASH 128M PARALLEL 48TSOP
技术 CMOS FLASH - NAND CMOS FLASH - NAND CMOS FLASH - NAND FLASH - NAND
存储器类型 - 非易失 - 非易失 - 非易失 非易失
存储器格式 - 闪存 - 闪存 - 闪存 闪存
存储容量 - 256Mb (32M x 8) - 256Mb (32M x 8) - 128Mb (16M x 8) 128Mb (16M x 8)
写周期时间 - 字,页 - 50ns - 50ns - 50ns 50ns
访问时间 - 50ns - 50ns - 50ns 50ns
存储器接口 - 并联 - 并联 - 并联 并联
电压 - 电源 - 2.7 V ~ 3.6 V - 2.7 V ~ 3.6 V - 2.7 V ~ 3.6 V 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度 - -40°C ~ 85°C(TA) - -40°C ~ 85°C(TA) - -40°C ~ 85°C(TA) -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型 - 表面贴装 - 表面贴装 - 表面贴装 表面贴装
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