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CZT5551E TR

产品描述TRANS PNP
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小360KB,共3页
制造商Central Semiconductor
标准
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CZT5551E TR概述

TRANS PNP

CZT5551E TR规格参数

参数名称属性值
晶体管类型NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值)600mA
电压 - 集射极击穿(最大值)220V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)100mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)50nA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)120 @ 10mA,5V
功率 - 最大值2W
频率 - 跃迁300MHz
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装SOT-223

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CZT5551E
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT SILICON
NPN TRANSISTOR
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551E is an
NPN silicon transistor, packaged in an SOT-223 case,
designed for general purpose amplifier applications
requiring high breakdown voltage.
MARKING: FULL PART NUMBER
FEATURES:
SOT-223 CASE
APPLICATIONS:
General purpose switching and amplification
Telephone applications
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
High Collector Breakdown Voltage 250V
Low Leakage Current 50nA MAX
Low Saturation Voltage 100mV MAX @ 50mA
Complementary Device: CZT5401E
SOT-223 Surface Mount Package
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
250
220
6.0
600
2.0
-65 to +150
62.5
UNITS
V
V
V
mA
W
°C
°C/W
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Power Dissipation
Continuous Collector Current
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
ICBO
ICBO
TEST CONDITIONS
VCB=120V
VCB=120V, TA=100°C
VEB=4.0V
IC=100µA
IC=1.0mA
IE=10μA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
250
220
6.0
75
100
1.00
1.00
MIN
MAX
50
50
50
UNITS
nA
μA
nA
V
V
V
mV
mV
V
V
BVCBO
BVCEO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
BVEBO
IEBO
Enhanced specification
R2 (11-December 2017)

 
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