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IPB051NE8NGATMA1: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 85V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小873KB，共11页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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IPB051NE8NGATMA1概述

Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 85V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3

IPB051NE8NGATMA1规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Infineon(英飞凌)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	1 week
Is Samacsys	N
雪崩能效等级（Eas）	826 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	85 V
最大漏极电流 (ID)	100 A
最大漏源导通电阻	0.0051 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	400 A
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

IPB051NE8NGATMA1相似产品对比

	IPB051NE8NGATMA1	IPP054NE8N G	IPP054NE8NGHKSA2
描述	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 85V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3	mosfet N-CH 85v 100a TO-220	MOSFET N-CH 85V 100A TO-220
厂商名称	Infineon(英飞凌)	-	Infineon(英飞凌)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	-	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown	-	compliant
ECCN代码	EAR99	-	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	826 mJ	-	826 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	85 V	-	85 V
最大漏极电流 (ID)	100 A	-	100 A
最大漏源导通电阻	0.0051 Ω	-	0.0054 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB	-	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	-	R-PSFM-T3
元件数量	1	-	1
端子数量	2	-	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	400 A	-	400 A
表面贴装	YES	-	NO
端子形式	GULL WING	-	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	-	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	-	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	-	SILICON

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