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UP0421000L

产品描述TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI6
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小330KB,共7页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
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UP0421000L概述

TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI6

UP0421000L规格参数

参数名称属性值
晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基底(R1)47 千欧
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)160 @ 5mA,10V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁150MHz
功率 - 最大值125mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商器件封装SSMINI6-F1

UP0421000L相似产品对比

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描述 TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI6 TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI6 TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI6 TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI6 TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI6 TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI6
晶体管类型 2 个 NPN 预偏压式(双) - 2 个 NPN 预偏压式(双) 2 个 NPN 预偏压式(双) 2 个 NPN 预偏压式(双) 2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA - 100mA 100mA 100mA 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V - 50V 50V 50V 50V
电阻器 - 基底(R1) 47 千欧 - 10 千欧 10 千欧 10 千欧 4.7 千欧
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 160 @ 5mA,10V - 35 @ 5mA,10V 160 @ 5mA,10V 80 @ 5mA,10V 160 @ 5mA,10V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 300µA,10mA - 250mV @ 300µA,10mA 250mV @ 300µA,10mA 250mV @ 300µA,10mA 250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA - 500nA 500nA 500nA 500nA
频率 - 跃迁 150MHz - 150MHz 150MHz 150MHz 150MHz
功率 - 最大值 125mW - 125mW 125mW 125mW 125mW
安装类型 表面贴装 - 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 SOT-563,SOT-666 - SOT-563,SOT-666 SOT-563,SOT-666 SOT-563,SOT-666 SOT-563,SOT-666
供应商器件封装 SSMINI6-F1 - SSMINI6-F1 SSMINI6-F1 SSMINI6-F1 SSMINI6-F1
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