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IRF3000

产品描述MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小119KB,共8页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IRF3000概述

MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC

IRF3000规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)300V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)1.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)400 毫欧 @ 960mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)33nC @ 10V
Vgs(最大值)±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)730pF @ 25V
功率耗散(最大值)2.5W(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装8-SO
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

IRF3000相似产品对比

IRF3000
描述 MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 300V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 400 毫欧 @ 960mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 33nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 730pF @ 25V
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
windows ce 6.0 下编译网卡驱动找不到依靠库 ndis.lib
如题sources 文件中如此定义:TARGETLIBS=\$(_PROJECTROOT)\cesysgen\sdk\lib\$(_CPUINDPATH)dis.lib\$(_PROJECTROOT)\cesysgen\sdk\lib\$(_CPUINDPATH)tcompat.lib\$(_PROJECTROOT)\cesysgen\sdk\lib\$(_CPUINDPATH)\coredll....
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