NDS356P: 产品描述MOSFET P-CH 20V 1.1A SSOT-3; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小41KB，共1页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn; 标准

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NDS356P概述

MOSFET P-CH 20V 1.1A SSOT-3

NDS356P规格参数

参数名称	属性值
FET 类型	P 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	1.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	210 毫欧 @ 1.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	5nC @ 5V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	180pF @ 10V
功率耗散（最大值）	500mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装
供应商器件封装	SuperSOT-3
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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2.92±0.12

0.95

1.40

1.40±0.12

2.20

(0.29)

0.95

1.90

1.12 MAX

0.508

0.382

0.10

A B

1.90

1.00

LAND PATTERN RECOMMENDATION

SEE DETAIL A

0.10

0.00

0.10

(0.94)

2.51±0.20

GAGE PLANE

NOTES: UNLESS OTHERWISE SPECIFIED

0.178

0.102

0.20

0.43

0.33

(0.56)

A) NO JEDEC REFERENCE AS OF AUGUST 2003

B) ALL DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.

C) DIMENSIONS ARE EXCLUSIVE OF BURRS,

MOLD FLASH AND TIE BAR EXTRUSIONS.

D) DIMENSIONING AND TOLERANCING PER

ASME Y14.5M - 2009.

E) DRAWING FILE NAME: MKT-MA03BREV3

SEATING

PLANE

SCALE: 50:1

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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