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FGB20N6S2D

产品描述IGBT 600V 28A 125W TO263AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小190KB,共9页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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FGB20N6S2D概述

IGBT 600V 28A 125W TO263AB

FGB20N6S2D规格参数

参数名称属性值
电压 - 集射极击穿(最大值)600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)28A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)40A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)2.7V @ 15V,7A
功率 - 最大值125W
开关能量25µJ(开),58µJ(关)
输入类型标准
栅极电荷30nC
25°C 时 Td(开/关)值7.7ns/87ns
测试条件390V,7A,25 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)31ns
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装TO-263AB

FGB20N6S2D相似产品对比

FGB20N6S2D FGP20N6S2D
描述 IGBT 600V 28A 125W TO263AB IGBT 600V 28A 125W TO220AB
电压 - 集射极击穿(最大值) 600V 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 28A 28A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 40A 40A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.7V @ 15V,7A 2.7V @ 15V,7A
功率 - 最大值 125W 125W
开关能量 25µJ(开),58µJ(关) 25µJ(开),58µJ(关)
输入类型 标准 标准
栅极电荷 30nC 30nC
25°C 时 Td(开/关)值 7.7ns/87ns 7.7ns/87ns
测试条件 390V,7A,25 欧姆,15V 390V,7A,25 欧姆,15V
反向恢复时间(trr) 31ns 31ns
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装 通孔
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-220-3
供应商器件封装 TO-263AB TO-220AB

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