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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> BYG23M M2G
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BYG23M M2G

产品描述DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小377KB，共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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BYG23M M2G概述

DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC

BYG23M M2G规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电流 - 平均整流（Io）1.5A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf1.7V @ 1.5A
速度快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）65ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流1µA @ 1000V
不同 Vr，F 时的电容15pF @ 4V，1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳DO-214AC，SMA
供应商器件封装DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结-55°C ~ 150°C

BYG23M M2G文档预览

BYG23M
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
FEATURES
- Glass passivated junction chip.
- Ideal for automated placement
- Fast switching for high efficiency
- High surge current capability
- Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- AEC-Q101 available
High Efficient Surface Mount Rectifiers
TYPICAL APPLICATION
The superior avalanche capability of BYG23M is specially
suited for free-wheeling, clamping, snubbering,
demagnetization in power supplies and other power switching applications.
DO-214AC (SMA)
MECHANICAL DATA
Case:
DO-214AC (SMA)
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free)
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
Indicated by cathode band
Weight:
0.064 g (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERSTICS
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current (@T
A
=65°C)
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@1A
Maximum reverse current @ rated VR
T
J
=25°C
T
J
=100°C
T
J
=125°C
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
BYG23M
1000
700
1000
1.5
50
1.7
1
I
R
15
50
E
RSM
t
rr
C
J
R
θJA
T
J
T
STG
30
65
15
70
- 55 to +150
- 55 to +150
O
UNIT
V
V
V
A
A
V
μA
Pulse energy in avalanche mode, non repetitive
(Inductive load switch off ) T
A
=25℃, I
(BR)R
=1.23A
Maximum reverse recovery time (Note 2)
Typical junction capacitance (Note 3)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse Test with PW=300μs, 1% Duty Cycle
Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0Volts.
mJ
ns
pF
C/W
O
O
C
C
Document Number: DS_D1411087
Version: B14
BYG23M
Taiwan Semiconductor
ORDERING INFORMATION
PART NO.
PACKING CODE
R3
R2
M2
BYG23M
F3
F2
F4
E3
E2
G
PACKING CODE
SUFFIX
PACKAGE
(Note 1)
SMA
SMA
SMA
Folded SMA
Folded SMA
Folded SMA
Clip SMA
Clip SMA
PACKING
1,800 / 7" Plastic reel
7,500 / 13" Paper reel
7,500 / 13" Plastic reel
1,800 / 7" Plastic reel
7,500 / 13" Paper reel
7,500 / 13" Plastic reel
1,800 / 7" Plastic reel
7,500 / 13" Plastic reel
Note 1: Package "SMA" and "Folded SMA" are AEC-Q101 qualified, Clip SMA doesn't.
EXAMPLE
PREFERRED
PART NO.
BYG23M R3
BYG23M R3G
PART NO.
BYG23M
BYG23M
PACKING CODE
R3
R3
G
PACKING CODE
SUFFIX
DESCRIPTION
AEC-Q101 qualified
AEC-Q101 qualified
Green compound
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
FIG.1 MAXIMUM AVERAGE FORWARD CURRENT
DERATING
INSTANTANEOUS REVERSE CURRENT(μA)
FIG. 2 TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
100
2
AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
1.5
10
T
J
=125°C
1
0.5
1
0
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=25°C
0.1
0
20
40
60
80
100
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE (%)
AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
FIG. 3 MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD
SURGE CURRENT
PEAK FORWARD SURGE URRENT (A)
50
40
30
20
10
0
1
10
100
8.3ms Single Half Sine Wave
JUNCTION CAPACITANCE (pF)
70
60
50
40
30
20
10
0
0.1
FIG. 4 TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
f=1.0MHz
Vslg=50mVp-p
1
10
100
NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz
REVERSE VOLTAGE (V)
Document Number: DS_D1411087
Version: B14
BYG23M
Taiwan Semiconductor
FIG. 5 TYPICAL INSTANTANEOUS
FORWARD CHARACTERISTICS
10
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
1
0.1
0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6 1.8
2
2.2 2.4 2.6 2.8
3
FORWARD VOLTAGE (V)
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
DO-214AC (SMA)
DIM.
A
B
C
D
E
F
G
H
Unit (mm)
Min
1.27
4.06
2.29
1.99
0.90
4.95
0.10
0.15
Max
1.58
4.60
2.83
2.50
1.41
5.33
0.20
0.31
Unit (inch)
Min
0.050
0.160
0.090
0.078
0.035
0.195
0.004
0.006
Max
0.062
0.181
0.111
0.098
0.056
0.210
0.008
0.012
SUGGESTED PAD LAYOUT
Symbol
A
B
C
D
E
Unit (mm)
1.68
1.52
3.93
2.41
5.45
Unit (inch)
0.066
0.060
0.155
0.095
0.215
MARKING DIAGRAM
P/N =
G=
YW =
F=
Document Number: DS_D1411087
Specific Device Code
Green Compound
Date Code
Factory Code
Version: B14
BYG23M
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
Notice
Specifications of the products displayed herein are subject to change without notice. TSC or anyone on its behalf,
assumes no responsibility or liability for any errors or inaccuracies.
Information contained herein is intended to provide a product description only. No license, express or implied,to
any intellectual property rights is granted by this document. Except as provided in TSC's terms and conditions of
sale for such products, TSC assumes no liability whatsoever, and disclaims any express or implied warranty,
relating to sale and/or use of TSC products including liability or warranties relating to fitness for a particular purpose,
merchantability, or infringement of any patent, copyright, or other intellectual property right.
The products shown herein are not designed for use in medical, life-saving, or life-sustaining applications.
Customers using or seling these products for use in such applications do so at their own risk and agree to fully
indemnify TSC for any damages resulting from such improper use or sale.
Document Number: DS_D1411087
Version: B14
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BYG23M M2G BYG23M R3G BYG23MR2G BYG23MF2 BYG23MR2 BYG23MM2 BYG23MF3G
描述 DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC, GREEN, PLASTIC, SMA, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, FOLDED SMA, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC, GREEN, PLASTIC, FOLDED SMA, 2 PIN
二极管类型 标准 标准 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证 - - 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 - - Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor
包装说明 - - GREEN, PLASTIC, SMA, 2 PIN R-PDSO-C2 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
Reach Compliance Code - - compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 - - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 - - FREE WHEELING DIODE FREE WHEELING DIODE FREE WHEELING DIODE FREE WHEELING DIODE FREE WHEELING DIODE
应用 - - EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY
配置 - - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 - - SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
最大正向电压 (VF) - - 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
JEDEC-95代码 - - DO-214AC DO-214AC DO-214AC DO-214AC DO-214AC
JESD-30 代码 - - R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
JESD-609代码 - - e3 e3 e3 e3 e3
湿度敏感等级 - - 1 1 1 1 1
最大非重复峰值正向电流 - - 50 A 50 A 50 A 50 A 50 A
元件数量 - - 1 1 1 1 1
相数 - - 1 1 1 1 1
端子数量 - - 2 2 2 2 2
最高工作温度 - - 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 - - -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 - - 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A
封装主体材料 - - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
参考标准 - - AEC-Q101 AEC-Q101 AEC-Q101 AEC-Q101 AEC-Q101
最大重复峰值反向电压 - - 1000 V 1000 V 1000 V 1000 V 1000 V
最大反向电流 - - 1 µA 1 µA 1 µA 1 µA 1 µA
最大反向恢复时间 - - 0.065 µs 0.065 µs 0.065 µs 0.065 µs 0.065 µs
表面贴装 - - YES YES YES YES YES
端子面层 - - Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 - - C BEND C BEND C BEND C BEND C BEND
端子位置 - - DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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  2. 76000H-15D-19PA
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